本发明涉及一种开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管
芯片的方法,包括1)工艺环境准备;2)超声波清洗;3)硅片清洗;4)清洗石英架、石英砣:5)硅片硼-铝扩散;6)氧化;7)一次光刻;8)磷扩散;9)割圆;10)烧结;11)二次光刻与蒸发一次成型;12)合金;13)台面处理;14)测试。与现有技术相比,本发明的有益效果是:1)采用硼-铝一次扩散,保证PN结前沿平缓及产品的一致性;2)采用二次光刻与蒸发一次成型技术,简化工序,降低物理损伤,提高成品率和产品性能的可靠性;3)在超净工艺环境中操作,特殊的清洗方法及优质清洗试剂保证长的少子寿命;4)新型烧结技术保证烧结变形小,粘接牢固,保证扩散参数稳定不变。
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