本发明公开了一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构,陶瓷外壳内设置有第一镀金的金属化芯区及第二镀金的金属化芯区,第一镀金的金属化芯区上设置有上桥臂半导体
芯片,第二镀金的金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片;陶瓷外壳的端面上设置有凹槽结构,引片结构插入于凹槽结构内,且引片结构与陶瓷外壳之间通过密封件密封,引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接,陶瓷外壳内部为真空结构或者充有惰性气体。该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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