本发明涉及一种钕铁硼晶界的处理工艺,其特征是:配制多元合金相R(M)x,将富相合金熔炼均匀,将其加入到主相合金中制作钕铁硼磁体。所述的配制多元合金相R(M)x,其R为Dy或Tb,M为Cu+Al+Ga,x为1或2,其结构均为面心立方结构化合物;其相变温度为808℃~970℃的独特化合物。本发明在不影响生产效率下,可显著提高钕铁硼性能,并且是一般工艺中达到了晶界扩散工艺的效果,但生产效率(kg/h)较晶界扩散提高近20倍,且产品厚度方向不再受扩散的限制。本发明的优点是:(1)富相合金独特,(2)可制备高剩磁、高矫顽力磁体,(3)生产效率高。
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