本发明属于以
半导体材料制备的辐射探测技术领域,公开了一种铯铅卤素
钙钛矿厚膜及其制备与应用,其中制备方法具体是:(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上,然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上,直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态;(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上,使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散;(3)将温度以0.1~5℃/min的速率缓慢降低进行冷却,然后将石英片揭掉,即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进,能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜,解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。
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“铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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