本发明涉及一种采用烧结工艺制造高压大功率晶闸管的方法,包括以下步骤:工艺环境准备、超声波清洗、硅片漂洗、清洗石英架、石英砣、硅片铝扩散、硅片硼扩散、氧化、一次光刻、磷扩散、割圆、烧结、蒸发、合金、二次光刻、喷砂磨角、旋转腐蚀涂胶保护、测试封装。与现有技术相比,本发明的有益效果是:
芯片制造采用硼、铝两次扩散,保证PN结前沿平缓;新型烧结技术保证烧结变形小,粘接牢固,保证扩散参数稳定不变;采用超净工艺环境,精细清洗方法,优质清洗试剂保证长的少子寿命;采用电脑控制扩散,机械磨角、喷角,保证产品参数一致性,使用可靠;制造成本低,成品率高,各项技术性能达到进口同类产品水平。
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