本发明涉及一种用于碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法。本封装结构包括一个表面有开槽和通孔的圆形氮化铝基底、碳化硅功率器件、无引线薄膜电路、一个键合在氮化铝基底上的铜热沉和氮化铝封装盖子。本发明封装结构中没有的引线,不用担心引线可能引起的断路、虚接的不良情况。而且,氮化铝材料与碳化硅的热导率相近,器件在凹槽内固定,不会有过多的热应力,保证器件的可靠性。
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