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用于碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法

999   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:01:02
本发明涉及一种用于碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法。本封装结构包括一个表面有开槽和通孔的圆形氮化铝基底、碳化硅功率器件、无引线薄膜电路、一个键合在氮化铝基底上的铜热沉和氮化铝封装盖子。本发明封装结构中没有的引线,不用担心引线可能引起的断路、虚接的不良情况。而且,氮化铝材料与碳化硅的热导率相近,器件在凹槽内固定,不会有过多的热应力,保证器件的可靠性。
声明:
“用于碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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