本发明公开了一种中子和γ射线综合屏蔽填料及其制备方法,属于屏蔽材料领域,目的在于解决现有的中子和γ射线综合屏蔽材料,无法从根本上解决屏蔽组元间的密度差异问题,影响材料综合屏蔽性能的提高,尤其是材料的γ射线屏蔽性能较差的问题。该填料由W和B组成,W和B的原子计量比为2︰1,其物相组成为W2B。本发明提供一种新的制备方法,通过对反应条件的控制,使得所制备屏蔽填料的密度均一性好,能够显著提升屏蔽填料的屏蔽性能,具有重要的进步意义。
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