一种铝基碳化硅的制备方法,包括步骤:步骤一、制备SiC/Al浆料,使用SiC微粉配制得到SiC浆料,然后按比例加入铝粉和镁粉并混合均匀;步骤二、流延成型,对SiC/Al浆料除泡后加入SiC/Al浆料总重量1-3%的引发剂和2-4%的单体,混合均匀后,进行流延得到SiC/Al流延膜;步骤三、流延膜素烧,对步骤二得到的流延膜进行素烧,得到SiC/Al素坯;步骤四、真空烧结,将SiC/Al素坯在真空状态下烧结,得到铝基碳化硅。本发明通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝,得到的产品成分分布均匀,气孔率低,导热率高,且通过引入镁粉,改善烧结性能,降低烧结温度。本发明涉及的工艺简单,能耗较少。
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