本发明公开了一种放射源源罐去污工艺,涉及放射源源罐处理技术领域,本发明所提供的工艺包括如下步骤:(1)根据源罐外表面污染水平将源罐分成两类,一类是外表面污染水平>40Bq/cm2的高污染源罐,一类是外表面污染水平≤40Bq/cm2的低污染源罐;(2)高压水清洗去污:对高污染源罐采用封闭式高压水进行冲洗去污,对低污染源罐采用开放式高压水进行冲洗去污;(3)对去污后的源罐局部开孔,所开孔用于夹层内的铅融化后流出;(4)将开孔后的源罐安装于热熔取铅装置上;(5)加热至350℃‑370℃,使得铅熔化并经步骤(3)所开孔脱离源罐本体,铅液进入盛装容器中,按冶金规范对铅液铸锭;(6)测定铅锭的污染水平。
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