本发明属于半导体辐射探测领域,公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr
3的辐射探测器性能的方法,该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr
3钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理,在避免使CsPbBr
3体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下,仅在吸光层CsPbBr
3的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷,降低暗电流,从而提高辐射探测器CsPbBr
3的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr
3进行氧气氛围的退火处理,能够有效解决现有的吸光层缺陷多,暗电流大等问题,同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。
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“提高基于铯铅溴CsPbBr3的辐射探测器性能的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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