本发明主要涉及一种用于钕铁硼磁体的镀膜设备及镀膜工艺,专用镀膜设备的基本原理为双层辉光等离子表面冶金,其主要特征结构包括真空室,真空室中部平行等距且相互绝缘的源极和阴极,源极和阴极外的隔热栅,真空室上方的阳极,真空室下方的氩气入口以及真空室后方的真空系统,真空室外的测温系统;表面生成的金属膜层厚度均匀且金属靶材的利用率高,整个镀膜过程中温度相对偏低,对磁体的损害较小,可控性强,无污染,对人体无损害,设备结构简单,靶材限制性小。
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