本发明公开了一种提纯太阳能级
多晶硅的方法。所述方法主要通过对工业硅进行冶金法熔炼后,经过对提拉定向生长多晶硅进行多级电磁约束区域提纯的方法来获得太阳能级多晶硅。首先通过冶金法熔炼硅合金熔体,然后经过提拉定向生长多晶硅来初步提纯多晶硅后,在提拉出的多晶硅锭周围设置对称偶数个电磁约束熔炼器,实现多级电磁约束区域提纯,并进一步实现高纯度提纯多晶硅。
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