一种在存在Pb/Sn焊料凸点(17)下从晶片(10)表 面上去除球形限制冶金(BLM)层(14, 15)的方法。在一个实施方 案中, 该BLM层包括钛层(14)和铜层(15)两层。在Pb/Sn焊料凸 点(17)形成在晶片(10)的电接触垫(12)上后, 用H2SO4+H2O2+H2O溶液蚀刻BLM铜层(15)。在去除铜层(15)的同时, 该H2SO4+H2O2+H2O蚀刻剂也与Pb/Sn焊料凸点(17)反应在凸点(17)表面上形成薄Pb0保护层(18)。当铜层(15)被蚀刻掉后, 用CH3COOH+NH4F+H2O溶液蚀刻钛层(14)。当暴露于CH3COOH+NH4F+H2O蚀刻剂时, 形成在Pb/Sn焊料凸点(17)上的PbO层(18)保持不溶解, 由此防止焊料凸点(17)在存在CH3COOH+NH4F+H2O蚀刻剂时被蚀刻。当钛被完全蚀刻后, 通过暴露在HCl+NH2CSNH2+NH4Cl+H2O溶液中, 将PbO层(18)从Pb/Sn焊料凸点(17)表面上去除。
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