溅射靶包括具有通过密实化钽粉末形成的钽晶粒的钽本体和溅射面。所述溅射面具有用于将钽原子输送远离溅射面以对基底进行镀覆的原子输送方向。所述钽晶粒在远离溅射面的原子输送方向上具有至少为40%的(222)晶向的取向比率和小于15%的(110)晶向的取向比率,用于增强溅射均匀度,所述钽本体没有可采用电子背散射衍射法而检测到的(200)-(222)晶向条带并且其中所述溅射靶的纯度至少达到99.99%。
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