本发明涉及硅的提纯和除杂方法,即从较低纯度的硅获得较高纯度、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅材料的方法。现有的高纯硅制造方法,存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题,本发明采用将硅材料和特定熔剂、特定除杂剂制成的含硅熔体的方法,经精炼纯化,并使硅从熔体中分离出来,得到纯化的硅,经进一步除去熔剂成分,获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。
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