权利要求
1.电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于包括以下步骤： 1)取石墨烯片100～1000mg，在无水乙醇中进行超声处理，使石墨烯充分分散在乙醇中,使得石墨烯片的平均片径减小至7μm； 2)取300～3000mg的2μm粒径金刚石粉末与超声后的石墨烯溶液混合超声1～3h； 3)将步骤2)中超声后的溶液进行抽滤，将抽滤产物取下在室温下自然风干，进行2500～3000℃高温退火处理； 4)将步骤3)中退火处理后产物用含有1～10wt％偶联剂KH-570的无水乙醇浸泡后，取出，室温风干，得导热骨架； 5)将环氧树脂与催化剂乙酰丙酮钕(III)水合物混合在80～120℃搅拌2～4h，搅拌后的混合溶液A与固化剂甲基六氢苯酐混合在室温下搅拌1～3h，得混合溶液B； 6)将步骤4)的导热骨架浸泡入步骤5)的混合溶液B中在50～70℃的真空烘箱中去除气泡直到气泡被完全去除； 7)将步骤6中)充分浸润环氧树脂的导热骨架在普通烘箱中进行115～135℃，2～4h、165～185℃，14～18h两步处理，得到最终的石墨烯热界面材料。2.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述超声处理的时间为2～10h。 3.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述高温退火处理的温度为2500～3000℃。 4.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于在步骤4)中，所述偶联剂采用硅烷偶联剂KH-570。 5.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于所述浸泡的时间为1～10min。 6.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于在步骤5)中，所述环氧树脂与催化剂乙酰丙酮钕(III)水合物的质量比为1000～200︰1。 7.如权利要求1所述电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法，其特征在于所述混合溶液A与固化剂甲基六氢苯酐的质量比为100︰(95～75)。
说明书
电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面
声明：
“电子器件散热用金刚石负载的石墨烯热界面材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：厦门大学
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2025年06月06日 ~ 08日 
