本发明涉及一种提纯
多晶硅去除硼和金属杂质的方法,尤其是涉及一种电子束炉熔炼多晶硅除硼和金属杂质的方法,其特征在于:该方法为首先对硅块原料进行酸洗、水洗,然后在高温电阻炉内进行高温增氧预处理,将处理后的硅料装入三枪电子束炉内进行熔炼,熔炼结束,待硅锭降温至室温,取出硅锭,去掉表皮和底端层,用硬质合金锤轻敲掉铸锭上端芯部金属杂质富集的疏松层,即得太阳能级多晶硅;本发明方法独特、不仅能够除磷和钙、钠等金属,除硼和铁、铜等金属杂质效果也很明显,除杂效率高,产量大,经济效果显著。
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