合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 湿法冶金技术

> 半导体器件及其制备方法

半导体器件及其制备方法

785   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:34:16
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层;图案化所述阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层,以形成沟槽,选用金属材料填充所述沟槽;去除部分所述金属材料,形成开口;在所述半导体衬底上沉积金属铝并进行氧化,以在所述开口中形成氧化铝材料层。本发明中所述Al2O3通过“沉积金属Al-氧化Al”的步骤形成,并经过多次循环所述步骤得到具有一定厚度的所述Al2O3材料层,所述沉积-热氧化的方法不含有等离子电荷,从而避免了等离子体损伤效应。而且所述Al2O3材料层原位形成于所述金属铜之上,还可以进一步提高该材料层上方的覆盖层与金属铜之间粘附性。
声明:
“半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
湿法冶金
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记