本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层;图案化所述阻挡层、低K材料层以及掩膜叠层,以形成沟槽,选用金属材料填充所述沟槽;去除部分所述金属材料,形成开口;在所述半导体衬底上沉积金属铝并进行氧化,以在所述开口中形成
氧化铝材料层。本发明中所述Al2O3通过“沉积金属Al-氧化Al”的步骤形成,并经过多次循环所述步骤得到具有一定厚度的所述Al2O3材料层,所述沉积-热氧化的方法不含有等离子电荷,从而避免了等离子体损伤效应。而且所述Al2O3材料层原位形成于所述金属铜之上,还可以进一步提高该材料层上方的覆盖层与金属铜之间粘附性。
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