权利要求
1.亲水非晶碳膜，其特征在于，所述亲水非晶碳膜为含硅的类金刚石碳薄膜。
2.根据权利要求1所述的亲水非晶碳膜，其特征在于：所述所述薄膜中的硅含量范围为1.0at.％至2.5at.％。
3.根据权利要求1所述的亲水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面粗糙度为10nm至20nm。
4.根据权利要求1所述的亲水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面Si-O键占比范围为30％至60％。
5.亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述亲水非晶碳膜的制备方法包括以下步骤： (1)薄膜的形成：使用基板将硅原子掺入类金刚石薄膜中，形成掺硅类金刚石薄膜备用； (2)活化处理：采用等离子体或离子束对在上述薄膜表面进行活化激活处理，产生存在于膜表面的碳原子和硅原子的化学键。
6.根据权利要求5所述的亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中形成掺硅类金刚石薄膜的原料为苯气体和硅烷混合。
7.根据权利要求5所述的亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中掺硅类金刚石薄膜的制备方法为等离子体化学气相沉积、等离子体合成、溅射合成、自滤波电弧合成或离子束沉积中的任意一种或其任何组合。
8.根据权利要求5所述的亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中采用等离子体处理时腔室内的压力范围为0.1Pa至10Pa，偏置电压范围为-100V至-800V。 9.根据权利要求5所述的一种亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中采用离子束激活薄膜表面的时，腔室内的压力为10 -7Pa-10Pa，电压为100V-50kV。 10.根据权利要求5所述的一种亲水非晶碳膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中采用的等离子体、离子束分别为等离子氧和氧的离子束。
说明书
亲水非晶碳膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及金属涂层材料制备技术，具体涉及亲水非晶碳膜及其制备方法。
背景技术
由于类金刚石(DLC)薄膜具有高硬度、润滑性、电阻和良好的耐磨性，表面光滑，并且可以在低温下合成，因此它是一种用于各种工业领域的涂层材料。此外，DLC薄膜具有其表面的优异化学稳定性、优异的生物相容性和对血液的相容性，当其
声明：
“亲水非晶碳膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：浙江大学杭州国际科创中心
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2025年05月16日 ~ 18日 
