本发明公开了冶金级高效
多晶硅片的制备方法,将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中,抽真空,充入氩气,炉膛升温,使冶金硅熔化为硅熔体,保持硅熔体温度在900‑1000℃,恒温熔炼3.5‑4.5h;炉膛内抽真空,硅熔体温度保持在900‑1000℃,并在氩等离子体流量为280‑320ml/min,真空熔炼0.3‑0.8h;炉膛抽真空,同时调整硅熔体温度到1400‑1500℃,保温并静置、降温至室温得到硅锭;再经过切割、表面清洗,即得冶金级高效多晶硅片。本发明通过高效冶金硅片转换效率提升技术,通过高还原性添加剂和硼的固化剂,并延长固化时间,保证产品能达到99.999%,提高少子寿命,降低生产成本。
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