权利要求
1.基于光伏废硅再生利用的预镁硅氧负极材料制备方法,其特征在于所述基于光伏废硅再生利用的预镁硅氧负极材料制备方法,包括如下步骤:
获取不同来源的废硅料,通过超声波清洗对废硅料表面进行清洗,去除表面残留杂质,得到的纯度为80~96%的废硅料;
获取脱氢添加剂的碱性溶液,将纯度为80~96%的废硅料浸入脱氢添加剂的碱性溶液中,通过超声辅助刻蚀去除金属及氧化物杂质,得到纯净硅片;
获取氢氟酸溶液,将所述纯净硅片浸泡在氢氟酸溶液中,等待30至60min,加入氢氧化钠溶液,重复使用氢氟酸溶液和氢氧化钠对纯净硅片进行清洗,得到普通纯度硅片;
获取王水,将所述普通纯度硅片浸泡在王水中,等待反应完成,过滤溶液,将硅留在滤渣中,经过破碎和粉碎得到初级纯度硅粉,纯度可达99.9%以上,回收率可超过98%;
将初级纯度硅粉通过熔融制成硅棒,采用高频感应加热使硅棒局部熔化,重复高频感应加热,得到纯度为99.99%~99.9999%的硅棒,通过破碎和粉碎得到高纯度硅粉;
获取Mg粉、SiO2粉、高纯度Si粉,使用混合机混合,得到混合物,将混合物加入真空炉加热,得到SiOX蒸汽和Mg蒸汽,通过凝结得到SiOX/αMg;
获取SiOX/αMg,将SiOX/αMg加入CVD炉内,排除空气,加热至900℃,获取乙炔气体,通入炉内,碳包覆反应并冷却至室温,得到Mg-SiOx@C复合材料。
2.根据权利要求1所述的基于光伏废硅再生利用的预镁硅氧负极材料制备方法,其特征在于,所述获取不同来源的废硅料,通过超声波清洗对废硅料表面进行清洗,去除表面残留杂质,得到的纯度为80~96%的废硅料,包括如下步骤:
获取不同来源的废硅料,通过外观和杂质分析,确定废硅料为废光伏组件电池片;
将废光伏组件电池片通过热解法去掉大部分EVA,然后放入盛有专用清洗剂的超声波清洗槽,将温度设定为50℃、频率设置为40kHz,清洗时间设置为20min,去除EVA胶膜残留和金属电极碎屑;
将废光伏组件电池片废片放置在干燥箱中,温度设置为80℃,时间设置为1 h,得到纯度为80~96%的废硅料。
3.根据权利要求1所述的基于光伏废硅再生利用的预镁
声明:
“基于光伏废硅再生利用的预镁硅氧负极材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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