权利要求
1.一种钙钛矿半导体器件，所述半导体器件采用透明玻璃衬底，其特征在于，所述钙钛矿半导体器件的结构自透明玻璃衬底而上依次为：第一透明导电氧化物层、钙钛矿层、量子点掺杂层、电子选择层、电子传输层、缓冲层、第二透明导电氧化物层;
所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层均采用ITO;所述钙钛矿层采用CH3NH3PbI3，所述量子点掺杂层采用CdSe量子点进行掺杂;所述电子选择层采用Bi2Se3薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿半导体器件，其特征在于，所述电子传输层为TiO2薄膜，厚度为10-20纳米;所述缓冲层为SnO2薄膜，厚度为10-20纳米。
3.根据权利要求2所述的一种钙钛矿半导体器件，其特征在于，所述Bi2Se3薄膜的厚度为20-50纳米。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体器件，其中，所述量子点掺杂层中CdSe量子点的粒径范围为2-5纳米，厚度为5-10纳米。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体器件，其中，所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层的厚度均为100-200纳米。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿半导体器件，其中，所述钙钛矿层的厚度为300-800纳米。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的钙钛矿半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
a)衬底处理：提供透明玻璃衬底，依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，每次5分钟，80℃下烘干;
b)第一透明导电氧化物层的沉积：在玻璃衬底上通过射频磁控溅射法沉积ITO层，溅射功率50W，氩气流量50sccm，室温下沉积20-30分钟;
c)钙钛矿层的沉积：在ITO层上通过旋涂法以3000rpm的速度旋涂CH3NH3PbI3溶液，旋涂时间20-30秒，沉积厚度为300-800纳米的CH3NH3PbI3溶液，随后在100℃下退火10分钟;
d)量子点掺杂层的形成：以2000rpm的速度旋涂2-10秒，将CdSe量子点溶液涂覆于钙钛矿层表面，在100℃下退火20分钟，形成均匀的CdSe量子点掺杂层;
e)电子选择层的沉积：通过真空热蒸镀法在量子点掺杂层上沉积的Bi2Se3层，蒸镀
声明：
“钙钛矿半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：深圳大学
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2025年06月13日 ~ 15日 
