反应堆冷却系统失水(LOCA)后锆合金包壳与水蒸汽剧烈反应释放大量的热量和氢气,可能引起氢爆炸[1,2]
在锆包壳表面涂覆Cr[3,4]、CrAl[5]、FeCrAl[6]、Ti2AlC[7]和TiAlN/TiN[8]等涂层,可提高锆合金的抗蒸汽氧化性能
Cr涂层是耐事故燃料(ATF)包壳候选涂层,在高温蒸汽或高温高压水环境中具有优异的抗氧化性和耐腐蚀性能[3,4,9,10]
Park[4]采用电弧离子镀在Zr-4合金表面制备了厚度约为10 μm的Cr涂层,在1200℃蒸汽氧化2000 s后增重约为锆合金基体的1/2
在360℃/18.7 MPa静态水溶液中腐蚀60 d后,Cr涂层试样的腐蚀增重仅为锆合金基体的18.5%[9]
但是,在高温高压水环境服役条件下,Zr和Cr之间较大的电位差使Zr和Cr直接接触易发生电偶腐蚀[11,12]
同时,在高温蒸汽环境中Cr涂层与锆基体界面易发生严重的互扩散,生成吸氢的ZrCr2和Zr(Fe, Cr)2相使Cr涂层/Zr包壳体系的韧性降低[3,13]
因此,必须在Cr涂层和Zr基体之间插入绝缘层以防止电偶腐蚀和Cr向内扩散
近年来,用微弧氧化(MAO)在锆合金上制备ZrO2陶瓷膜受到了极大的关注
ZrO2涂层在高温高压水溶液中具有良好的耐腐性和耐磨性[14,15]
目前,硅酸盐、铝酸盐和磷酸盐电解液用于在Zr基体上制备ZrO2陶瓷膜[16~18]
与其它电解液相比,在磷酸盐电解液中制备的ZrO2涂层更致密均匀[16]
同时,致密的ZrO2陶瓷膜具有优良的阻氢特性[19]
因此,可在Cr涂层和Zr基体之间插入用MAO技术制备ZrO2绝缘膜,可避免在正常服役条件下发生电偶腐蚀和阻止高温蒸汽环境中Cr向锆基体内扩散
用磁过滤阴极真空弧离子镀(FCVAD)技术制备的等离子体弥散性好、离化率高、无宏观大颗粒污染且沉积能量可调,可在金属、陶瓷和塑料材料上沉积致密均匀的薄膜[20,21]
本文用MAO技术在Zr-2合金表面制备ZrO2薄膜,然后用FCVAD技术在MAO膜表面沉积Cr涂层,在900~1100℃蒸汽环境中评估Zr-2合金基体和ZrO2/Cr复合膜的蒸汽氧化性能并讨论其蒸汽氧化机理
1 实验方法
将实验用Zr-2合金线切割成尺寸为10 mm×10 mm×1 mm的样品,用不同型号的水砂纸依次打磨
然后用双极性电源在优化的磷酸盐电解液中对其进行微弧氧化(MAO)处理
电解液的成分为6 g/L Na3PO4·12H2O + 1 g/L KOH + 20 mL/L甘油,即将18 g固体Na3PO4·12H2O和3 g KOH溶解于3 L去离子水中,然后向溶液中添加60 mL甘油
加载电压为475 V/-35 V,频率为75 Hz,处理时间为20 min
在Zr-2合金表面成功制备ZrO2绝缘膜后,用磁过滤阴极真空弧离子镀(FCVAD)技术在MAO膜试样表面沉积Cr涂层
纯度为99.5%的Cr靶在90 A的弧电流作用下激发形成Cr等离子体,用90°的磁过滤弯管将其引入样品室
沉积前,将样品室的真空抽至4×10 -3 Pa
然后在800、600、400 V的负脉冲偏压下分别用Cr等离子体溅射1 min,以清除表面污染物
最后,在50 V的负脉冲偏压、80%的占空比条件下沉积Cr涂层2 h
同时,在相同条件下在试样背面沉积Cr涂层
为了模拟LOCA事故条件,用热重分析仪(TGA,SETARAM SETSYS)分别在900、1000和1100℃蒸汽环境中对Zr-2合金基体和ZrO2/Cr复合膜进行蒸汽氧化测试
将试样安装在炉内Pt挂钩后,在纯度为99.99%的Ar气保护下以50℃/min的升温速率加热到设定温度
然后以氩气为载气将湿度为50%的水蒸汽以50 mL/min的速率引入炉内,保温3600 s后将试样在Ar气环境中冷却至室温
为了保证增重曲线具有好的重复性,每个蒸汽氧化重复测试三次
用Hitachi S-4800型扫描电镜观察蒸汽氧化前后Zr-2合金基体和ZrO2/Cr复合膜的截面结构,用X' Pert Pro MPD型X射线衍射仪和Spectruma GDA750HR型辉光放电谱仪分析它们的相组成和成分深度分布
同时,将蒸汽氧化后的截面样品在5% HF + 45% HNO3 + 50% H2O混合酸中刻蚀15 s,用Carl Zeiss Image A2m型光学显微镜观察它们的截面金相组织
2 实验结果2.1 ZrO2/Cr复合膜的微观结构及成分
图1给出了Zr-2合金表面微弧氧化膜的表面形貌、截面结构和XRD谱
如图1a所示,MAO膜呈典型的“饼状”结构,表面残留微小的放电孔[17]
由于放电区熔体的冷淬作用[22],表面出现了微裂纹
图1b显示,MAO膜层截面组织致密,膜/基界面结合良好,呈典型的锆合金微弧氧化膜层状结构[16],膜层厚度约3.0 μm
从图1c可见,MAO膜由单斜氧化锆(M-ZrO2)和少量的四方氧化锆(T-ZrO2)组成,XRD谱中2θ(30°)处的衍射峰为T-ZrO2相特征峰
同时,还探测到来自锆合金基体的α-Zr相
图1
图1Zr-2合金表面微弧氧化膜的形貌、结构和相组成
Fig.1Morphology, microstructure and phase compon-ent of MAO-coated Zr-2 alloy (a) surface morp-hology, (b) cross-sectional microstructure, (c) XRD pattern
图2给出了Zr-2合金表面ZrO2/Cr复合膜的结构、成分深度分布及XRD谱
从图2a可见,致密的微弧氧化膜附着在Zr-2合金表面,均匀的Cr涂层沉积在MAO膜表面,MAO膜中间层和Cr涂层厚度分别约为2.0和5.0 μm
结合图1b可见,ZrO2/Cr复合膜中的MAO膜中间层略薄于初始MAO膜
其原因是,沉积Cr涂层前外部疏松的MAO膜经磁过滤阴极真空弧离子镀(FCVAD)溅射后被剥离
图2
图2Zr-2合金表面ZrO2/Cr复合膜的结构、成分和相组成
Fig.2Microstructure, compositions and phase compon-ent of ZrO2/Cr composite coating on Zr-2 alloy.
(a) cross-sectional microstructure, (b) GDOES composition depth profiles, (c) XRD pattern. The inserted figure in Fig.2b is the magnified composition depth profiles of Na, H and C elements
图2b给出了ZrO2/Cr复合膜的GDOES成分深度分布
可以看出,MAO膜中间层由Zr和O元素组成,在ZrO2中间层中还检测到P、Na、H、C等微量元素
Zr源于Zr-2合金基体,O、P、Na、H、C源于磷酸盐电解液
图2b插图表明,在ZrO2中间层中探测到微弱的H峰,这是等离子体放电过程中少量吸附在MAO膜中的水分子与锆基体反应释放出氢气的结果[23]
在强电场作用下,磷酸根离子(PO43-)被吸附在阳极表面并沿放电通道向内迁移[24]
因此,在MAO膜中间层也检测到一个较宽的P峰(图2b)
图2b插图还显示,在MAO膜中间层中也检测到微弱的C峰
Wei等[23]报道,Zirlo锆合金微弧氧化过程中,由于等离子体放电的热裂解、光辐射分解、电子碰撞和离子碰撞的分解作用,磷酸盐电解液中的甘油添加剂分解为C*活性原子
而且,ZrO2/Cr复合膜外表面存在明显的O、Na、H、C和P信号
EDS成分分析结果表明,Cr涂层外表面含95.76%(原子分数) Cr和4.24% (原子分数)O,这归因于ZrO2/Cr复合膜外表面Cr涂层发生了轻微氧化并吸附了大气污染物[25]
此外,在Cr沉积过程中Cr离子也沉积在MAO膜外层微孔中(见图2b),化学成分(原子分数)为27.29% Zr、0.22% Sn、54.24% O及18.25% Cr (图2a点A),对应ZrO2和少量的Cr
图2c表明,最强的衍射峰源于Cr外层,α-Zr相衍射峰源于Zr-2合金基体
而2θ (34.604°和47.834°)处的CrO相源于外表面氧化层,这归因于在ZrO2/Cr复合膜从真空室出仓暴露于大气冷却过程中Cr涂层轻微氧化,但是吸收的氧不足以形成Cr2O3相,这与Han等[26]和Wang等[27]的结果一致
此外在MAO膜中间层中还观察到M-ZrO2和T-ZrO2,M-ZrO2相的衍射强度高于T-ZrO2相,与锆合金表面MAO膜的相组成一致[28]
2.2 ZrO2/Cr复合膜的高温蒸汽氧化特性
图3给出了Zr-2合金及ZrO2/Cr复合膜在900~1100℃水蒸汽中的氧化动力学曲线,对应的氧化增重和时间的关系为[29,30]
图3
图3Zr-2合金及ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽中的氧化动力学曲线
Fig.3Oxidation kinetics curves of bare and ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy in steam environment at different temperatures (a) 900℃, (b) 1000℃, (c) 1100℃
(ΔW/A)n=Knt
(1)
式中ΔW/A为单位面积增重(mg/cm2),n和Kn为氧化速率指数(n=1, 2或3)和速率常数((mg/cm2)n/s),t是氧化时间(s)
拟合结果列于表1
Table 1
表1
表1Zr-2合金及ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽中氧化动力学参数
Table 1Oxidation kinetics parameters of bare and ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy in steam environment at different temperatures
Temperature/℃
|
Bare Zr-2
|
ZrO2/Cr-coated Zr-2
|
Ⅰ
|
Ⅱ
|
Ⅰ
|
Ⅱ
|
Kn
|
n
|
Kn
|
n
|
Kn
|
n
|
Kn
|
n
|
900
|
2.67×10-2
|
3
|
-
|
-
|
8.60×10-4
|
2
|
-
|
-
|
1000
|
3.18×10-2
|
2
|
3.74×10–3
|
1
|
9.49×10-4
|
1
|
-
|
-
|
1100
|
2.01×10-1
|
2
|
-
|
-
|
2.88×10-3
|
1
|
-
|
-
|
图3和表1表明,在900和1100℃蒸汽氧化环境中Zr-2合金基体氧化动力学曲线分别遵循立方规律和抛物线规律,这归因于锆合金氧化速率由氧离子扩散通过ZrO2晶格决定[31,32]
在1000℃蒸汽环境中1800 s后Zr-2合金基体加速氧化,动力学曲线由抛物线转变为近似直线(图3b和表1),这称为分离氧化[29,33]
但是,纯锆基体在1000℃蒸汽氧化3600 s后没有观察到分离氧化,因为锆合金中的Sn元素的添加加速了锆基体分离氧化[34,35]
在900、1000及1100℃蒸汽氧化3600 s后,Zr-2合金基体的增重分别为4.46、14.29 和25.32 mg/cm2
Cathcart-Pawel关系通常用于评估1000~1500℃温度范围内锆合金氧化层的生长速率[31,36],Cathcart-Pawel关系为
(ΔW/A)CP=602exp(-10050T)t1/2
(2)
式中(ΔW/A)CP为单位面积增重(mg/cm2),T为温度(K),t为氧化时间(s)
根据Cathcart-Pawel关系,在900、1000及1100℃蒸汽氧化3600 s后锆合金试样氧化增重预测值分别为6.87、13.46和23.92 mg/cm2,表明本文Zr-2合金的氧化增重值与Cathcart-Pawel关系的预测值基本一致
从图3a和表1可见,在900℃蒸汽氧化3600 s后ZrO2/Cr复合膜的氧化动力学曲线遵循抛物线规律,Kn 值比在相同温度下Zr-2合金基体小两个数量级,增重仅为1.68 mg/cm2,约为锆合金基体增重的3/8
当温度上升至1000和1100℃时ZrO2/Cr复合膜氧化动力学曲线遵循线性关系,但是Kn 值非常低;氧化3600 s后增重分别为3.47和10.46 mg/cm2,约为Zr-2合金基体增重的1/4和2/5
这表明,ZrO2/Cr复合膜对Zr-2合金基体具有优良的保护作用,大幅度减缓了锆合金基体的氧化
2.3 蒸汽氧化后氧化层组织和成分分布
图4给出了Zr-2合金基体在不同温度蒸汽中氧化3600 s后的截面结构及GDOES成分深度分布
在900、1000和1100℃蒸汽氧化3600 s后,分别形成23.7、73.5和127.3 μm厚的ZrO2层
在900℃氧化时,锆合金表面覆盖均匀的ZrO2涂层(图4a)
但是在1000℃蒸汽氧化后ZrO2氧化膜层状开裂,氧原子穿过这些缺陷加速锆合金基体氧化,使氧化动力学曲线出现转折(见图4b和3b)[36]
图4
图4Zr-2合金在不同温度蒸汽中氧化3600 s后截面的结构和GDOES成分深度分布
Fig.4Cross-sectional microstructures and GDOES composition depth profiles of bare Zr-2 alloy after 3600 s steam oxida-tion at different temperatures (a) 900℃, (b) 1000℃, (c, d) 1100℃
图4c表明,在1100℃蒸汽氧化后ZrO2涂层中未观察到开裂,但是靠近Zr/ZrO2界面的锆合金基体出现严重剥落
图4d中GDOES成分深度分布表明,在1100℃氧化的氧化层主要由Zr和O元素组成,H元素仅富集在厚度约9.0 μm的氧化层中,未扩散进入锆合金基体,因为致密的ZrO2层阻止可氢渗透进入锆合金基体[37]
图5给出了Zr-2合金表面ZrO2/Cr复合膜试样在不同温度蒸汽氧化3600 s后的截面结构及成分深度分布
图5a表明,在900℃蒸汽氧化后厚约5 μm的Cr涂层部分氧化,在表面生成厚约1.3 μm的致密Cr2O3膜
GDOES成分深度分布结果表明,O和H元素主要存在在Cr2O3层,在MAO区域也检测到微弱的O信号(图5b)
在1000℃氧化后,Cr2O3膜厚度增加至3.8 μm,但是O和H元素依然只在外部Cr2O3层(见图5c和d)
图5
图5ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽中氧化3600 s后的截面结构和GDOES成分深度分布
Fig.5Cross-sectional microstructures and GDOES composition depth profiles of ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy after 3600 s steam oxidation at different temperatures (a, b) 900℃, (c, d) 1000℃, (e, f) 1100℃
在1100℃蒸汽氧化3600 s后,在Zr-2合金表面观察到三层结构的氧化层(见图5e)
图5f表明,O信号的相对强度随着溅射深度迅速下降,随后在2.6 μm到5.6 μm深度范围内只有较低的O信号
随着溅射深度达5.6 μm,O信号强度显著增强
EDS成分分析结果表明,外部厚约2.6 μm的氧化膜主要由Cr2O3组成(表2点5)
在Cr2O3膜下方为厚约3 μm的金属Cr层和ZrO2(表2点4)
在氧化初期Cr涂层表面生成一层均匀致密的Cr2O3膜,Cr层消耗后Cr2O3/Zr界面上部分Cr2O3被Zr还原成金属Cr,锆合金基体氧化生成ZrO2[25]
因此,随着蒸汽温度从900℃提高到1000℃,Cr涂层进一步被氧化,Cr2O3膜变厚
但是蒸汽温度上升至1100℃后Cr2O3膜明显变薄,因为部分Cr2O3膜被Zr还原,而还原生成的Cr层固溶了较多的O和Zr原子
此外,还原Cr层中存在的ZrO2氧化物成为氧原子向内扩散提供快速扩散通道,加速了锆合金基体氧化[37,38]
最终还原Cr层下方锆基体氧化生成厚约14.1 μm的ZrO2内层膜(表2中的点2),仅为Zr-2合金基体1100℃蒸汽氧化后ZrO2厚度的1/9(图4c)
这表明,ZrO2/Cr复合膜大幅度阻止氧扩散,降低了锆合金基体的氧化速率
Table 2
表2
表2ZrO2/Cr复合膜试样1100℃蒸汽氧化3600 s后的截面成分
Table 2EDS element analysis on the cross-section of ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy after 3600 s steam oxidation at 1100℃ (%,atomic fraction)
Element
|
Point 1
|
Point 2
|
Point 3
|
Point 4
|
Point 5
|
Zr
|
70.99
|
35.97
|
37.81
|
15.14
|
2.38
|
Sn
|
0.63
|
0.35
|
0.54
|
0.19
|
0.10
|
Cr
|
0.15
|
0.28
|
7.22
|
53.58
|
21.82
|
O
|
28.24
|
63.40
|
54.43
|
31.09
|
75.70
|
从图5a~d还可见,在900和1000℃蒸汽氧化后MAO膜中间层的原始微观结构发生了变化,H、O信号强度明显降低,甚至消失(图2a和b)
EDS成分分析表明,在900℃氧化3600 s后MAO膜中间层成分为(原子分数)67.20% Zr、23.03% O、9.26% Cr和0.51% Sn,对应Zr3O和少量的Cr(图5a)
这表明,在高温蒸汽氧化过程中MAO膜中间层部分氧原子扩散进入锆基体,ZrO2转变为Zr3O相
同样,Zhang等[39]报道,Zr-Sn-Nb合金表面ZrO2膜在温度高于400℃的管式炉中真空热处理后,氧化膜逐渐溶解于锆基体,ZrO2转变成亚稳态的Zr-O相,以及Zr2O和Zr3O相
Hayward等[40]也观察到,ZrO2在熔融的Zr-4合金中被溶解:
ZrO2+Zr→OxygendiffusionZrO2-x+Zr(O)
(3)
式中ZrO2-x 可以是有序结构的Zr3O相
随着蒸汽温度的升高MAO膜中氧原子向外扩散更快,但是P元素仍富集在MAO膜初始区域,直到1100℃仍然存在微弱的P峰(图5f)
另一方面,ZrO2/Cr复合膜在900~1100℃蒸汽中剧烈反应,生成的氢主要富集在Cr2O3层中,几乎没有扩散到ZrO2内层膜和Zr合金基体中(图5b、d和f)
研究表明[41,42],在同一温度下H在ZrO2中的扩散系数远低于Cr2O3中的扩散系数,ZrO2是良好的阻氢涂层
因此对于ZrO2/Cr复合膜试样,仅在Cr2O3和部分Cr层中探测到氢元素
此外,在900~1100℃蒸汽氧化后Sn元素富集在金属Cr涂层,未扩散至Cr2O3层最外表面(图5b、d和f),因为Sn原子在Cr2O3陶瓷氧化物中的扩散系数低于在金属Cr中的扩散系数[43,44]
图6给出了Zr-2合金及ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽氧化3600 s后的金相组织照片
如图6a所示,Zr-2合金基体经900℃蒸汽氧化后截面组织从外到内为ZrO2层、氧稳定的α-Zr(O)层、再结晶α-Zr和前β-Zr相的混合区,ZrO2层和α-Zr(O)层厚度分别为23.7和32.7 μm
根据Zr-O相图[45],随着锆基体中氧含量的变化Zr-Sn合金的(α-Zr和β-Zr)两相区一般在810~970℃
因此,在900℃蒸汽氧化后,α-Zr(O)层下方未被氧化的锆合金基体由再结晶α-Zr和前β-Zr相组成
在1000℃下ZrO2层和α-Zr(O)层逐渐增厚,厚度分别为73.5和66.7 μm (图6c)
α-Zr(O)层下方的微观组织转变为“平行板结构”的魏氏体α-Zr结构,称为前β-Zr区[31]
当蒸汽温度上升至1100℃,ZrO2层和α-Zr(O)层厚度快速增加至127.3和105.1 μm (图6e)
图6c和6e还表明,Zr-2合金基体在1000和1100℃蒸汽氧化后α-Zr(O)层区域发生严重的剥落
在高温蒸汽环境大量的氧溶解于锆合金基体,韧性β-Zr相转变为脆性α-Zr(O)相[46]
在截面样品切割抛光过程中,α-Zr(O)层发生局部剥落形成剥落区域
图6
图6Zr-2合金和ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽中氧化3600 s后截面的金相组织
Fig.6OM cross-sectional images of bare and ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy after 3600 s steam oxidation at different tempera-tures (a, c, e) bare Zr-2 alloy, (b, d, f) ZrO2/Cr composite coating
从图6b可见,在900℃蒸汽氧化3600 s后ZrO2/Cr复合膜表面的Cr层发生部分氧化,生成薄的Cr2O3层,从外到内为Cr2O3层、残余Cr层、MAO膜及再结晶α-Zr和前β-Zr相的混合区
随着蒸汽温度增加至1000℃,Cr涂层进一步氧化,MAO膜中间层截面组织从深黑色转变为浅灰色,锆合金基体组织转变为平行板状结构(图6d)
在1100℃蒸汽中氧化3600 s后截面组织从外到内为Cr2O3层、还原Cr层、ZrO2层和α-Zr(O)区,ZrO2层厚度仅为14.1 μm(图6f)
上述结果表明,在900~1100℃蒸汽环境中ZrO2/Cr复合膜显著抑制了氧向锆合金基体内的扩散
2.4 蒸汽氧化后氧化层的相组成
图7给出了Zr-2合金及ZrO2/Cr复合膜在不同温度蒸汽氧化3600 s后的XRD谱
图7a表明,在900~1100℃蒸汽氧化后锆合金基体氧化成M-ZrO2相和少量的T-ZrO2相
随着蒸汽温度的上升锆合金表面氧化层增厚,M-ZrO2相的衍射峰增强
图7
图7Zr-2合金和ZrO2/Cr复合膜在不同温度的蒸汽中氧化3600 s后的XRD谱
Fig.7XRD patterns of bare and ZrO2/Cr-coated Zr-2 alloy after 3600 s steam oxidation at different temperatures (a) bare Zr-2 alloy, (b) ZrO2/Cr composite coating
图7b表明,ZrO2/Cr复合膜在900℃蒸汽氧化后探测到来自Cr2O3和Cr相衍射峰,与图5a和6b中的截面组织相一致
在1000℃表面Cr2O3膜进一步生长,残余Cr层的厚度减小,Cr2O3相的衍射峰强度增强,Cr相的衍射峰强度减弱
当蒸汽温度达到1100℃时,除2θ (65.104°)处Cr2O3相的衍射峰,其余Cr2O3相衍射强度减弱,Cr峰相对强度增强,明显比1000℃时的高,与金属Cr层的氧化还原过程有关[25,26]
同时还探测到M-ZrO2相,表明氧已扩散进入锆合金基体形成ZrO2相
因此,在1100℃氧化3600 s后较薄的Cr2O3膜覆盖在还原Cr层表面,同时Zr-2合金基体氧化生成厚约14.1 μm的ZrO2内层膜(图5e和6f)
在图7b中还可见,在900和1000℃蒸汽氧化3600 s后MAO膜中间层的M-ZrO2相衍射峰消失,在2θ为36.265°、47.584°及56.587°处出现Zr3O相衍射峰,表明在蒸汽氧化过程中发生了M-ZrO2向Zr3O的相转变
3 讨论
锆的蒸汽氧化速率与氧在β-Zr、ZrO2和α-Zr(O)中的扩散系数密切相关[34],即
Dβ-ZrO=0.0263exp(-28200RT)
(4)
DZrO2O=0.1387exp(-34680RT)
(5)
Dα-Zr(O)O=3.923exp(-51000RT)
(6)
式中Dβ-ZrO、DZrO2O、和Dα-Zr(O)O分别为β-Zr、ZrO2和α-Zr(O)中氧的扩散系数(cm2/s);R为标准气体常数;T是温度(K)
根据式(4)~(6),图8给出了在900~1100℃范围内氧的扩散系数随温度的变化
图8
图8扩散系数与温度的关系
Fig.8Dependence of diffusion coefficients on the temperature
图8表明,在同一温度下氧扩散系数从高到低的排序为:Dβ-ZrO>DZrO2O>Dα-Zr(O)O
在氧化初期,大量的氧原子迅速扩散到β-Zr基体中
当Zr-2合金基体表面形成较厚的α-Zr(O)层和ZrO2层后,氧的扩散速率下降
因此,锆合金基体氧化动力学曲线在900和1100℃蒸汽环境中分别遵循立方规律和抛物线规律(图3a和c)
同样在1000℃蒸汽环境中,Zr-2合金基体动力学曲线在1800 s之前基本遵循抛物线规律(图3b)
氧化1800 s后分离氧化出现,ZrO2氧化膜层状开裂,加速了氧向锆合金基体内扩散速率,因此氧化动力学曲线后期转变为近似直线(图3b和4b)
此外,Burto[48]和Zeng[49]给出了氧和铬在Cr2O3中扩散系数方程
DCr2O3O=15.9exp(-100138RT)
(7)
DCr2O3Cr=4.29×10-8exp(-22000RT)
(8)
式中DCr2O3O和DCr2O3Cr分别为Cr2O3中氧和铬的扩散系数(cm2/s);R和T分别为标准气体常数和温度(K)
Cr2O3中氧和铬的扩散系数随温度的变化,如图8所示
图8表明,在900~1100℃范围内氧在Cr2O3中的扩散系数(DCr2O3O)为10-18~10-15 cm2/s,比相同温度下的Dβ-ZrO、DZrO2O和Dα-Zr(O)O值至少低7~9个数量级
但是表1表明,在相同温度下ZrO2/Cr复合膜的Kn 值比Zr-2合金基体的Kn 值低2个数量级
因此,DCr2O3O值太低而无法完美解释高温蒸汽环境中Cr2O3膜的生长速率
文献[43,50,51]表明,在相同温度下铬在Cr2O3中的扩散系数比氧在Cr2O3中的扩散系数高4~6个数量级
根据图8可以推断,在ZrO2/Cr复合膜表面Cr层完全消耗前蒸汽环境中Cr2O3膜的生长主要取决于铬的向外扩散[52]
因此,Zr-2合金表面的ZrO2/Cr复合膜在900~1100℃蒸汽环境中表现出良好的抗氧化性
4 结论
(1) 在900、1000和1100℃蒸汽中氧化3600 s后ZrO2/Cr复合膜单位面积的氧化增重约为Zr-2合金基体的3/8、1/4和2/5,表明Zr-2合金的抗蒸汽氧化性能提高了
(2) 在高温蒸汽环境中,在ZrO2/Cr复合膜表面氧化生成的致密Cr2O3膜能抑制氧向锆合金基体内扩散、降低氧化速率和阻止锆试样在1000℃蒸汽环境中出现分离氧化
(3) ZrO2/Cr复合膜表面Cr层完全消耗前,Cr涂层的氧化与Cr、O在Cr2O3中的扩散系数密切相关,氧化速率主要取决于铬向外扩散,而不是氧向内扩散
(4) 在900~1100℃的蒸汽中氧化后氢主要富集在Cr2O3层中,几乎没有扩散到ZrO2内层膜和Zr合金基体中,表明MAO膜中间层能抑制氢渗透进入锆基体
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结果表明:在1200℃/1 h水蒸汽中氧化后没有涂层的锆合金基体表面生成厚度约为100 μm的氧化膜;而在Cr涂层表面生成的致密Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>层其厚度约为4 μm,表明氧化速率显著降低
CrAl涂层氧化后表面生成致密的Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合氧化层,其厚度只有0.8 μm,表明氧化速率进一步降低
这些结果表明: 用磁控溅射法在锆合金表面制备的Cr和CrAl涂层,在1200℃水蒸气环境中均表现出良好的耐氧化性能
在Cr涂层表面生成的氧化膜厚度约为未涂层锆合金氧化层的1/25,CrAl涂层氧化膜厚度低于锆合金表面氧化层的1/100
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“Zr-2合金表面ZrO2/Cr复合膜的高温蒸汽氧化行为” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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