权利要求书： 1.一种组合物，其包含(i)包含金属氧化物作为基质材料的基质，所述金属氧化物包含至少两种金属M1和M2和(ii)在所述基质中活动的金属M3其中?M1与M2的原子比在75:25至99.99:0.01的范围内；?M1、M2和M3的价态都是正数；?M1的价态大于M2的价态；?M2的价态等于或大于M3的价态；且?金属M1、M2和M3不同，其中M1选自Si和Ge，M2选自Al、Ga、In、Tl、Sc、Y、La、Ac或其混合物；M3选自Ag和Cu，其中基于所述组合物的总重量计，不同于M1、M2和M3的金属的总浓度低于100ppm。2.根据权利要求1的组合物，其中M3在所述组合物中的扩散系数与M2在所述组合物中的扩散系数的比率为至少1000:1。3.根据权利要求1的组合物，其中M1的价态为+III、+I或+。4.根据权利要求1的组合物，其中M1是Si。5.根据权利要求1的组合物，其中M2选自Al和Ga。6.根据权利要求1的组合物，其中M3是Cu。7.根据权利要求1的组合物，其中?M2的量为所述组合物中存在的金属总量的0.01至25原子％；和/或?M3的量为所述组合物中存在的金属总量的0.01至10原子％。8.一种生产根据权利要求1至7之一的组合物的方法，其包含下列步骤a)提供M1的多孔氧化物；b)用M2的液体前体浸润M1的多孔氧化物；c)用M3的液体前体浸润M1的多孔氧化物；由此步骤b)和c)可以同时或相继进行；d)任选地，干燥在用M2的液体前体和M3的液体前体浸润M1的多孔氧化物后获得的产物；e)任选地，在氧化气氛中在低于M1的氧化物的转变温度的温度下煅烧在步骤d)，如果存在，或步骤c)中获得的产物；f)将在步骤d)中获得的产物加热到M1的氧化物的转变温度以上的温度。9.一种生产根据权利要求1至7之一的组合物的方法，其中所述组合物通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CD)制备。10.根据权利要求9的方法，其中通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CD)制备的所述组合物的层厚度为1至100nm。11.通过根据权利要求8的方法获得的产物作为用于物理气相沉积(PD)法的溅射靶的用途。12.根据前述权利要求1至7任一项的组合物或在权利要求8至10任一项的方法中获得的组合物作为阻变元件的用途。 说明书：
声明：
“用于RERAM的固体电解质” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：贺利氏德国有限责任两合公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
