权利要求书： 1.一种叉指背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：(1)准备硅基体并进行双面抛光；
(2)在抛光后的所述硅基体的背面进行开窗，形成第一凹槽及未开窗凸面区，使所述硅基体的背面形成凹凸交替排列的错落结构；
(3)在抛光后的所述硅基体的正面进行制绒，形成制绒结构；
(4)在所述制绒结构及所述错落结构上均进行硼扩，分别形成正面BSG层及背面BSG层；
(5)对所述正面BSG层及所述背面BSG层进行修饰减薄，形成正面减薄BSG层及背面减薄BSG层；
(6)在所述正面减薄BSG层及所述背面减薄BSG层上制备钝化膜，得到正面钝化层及背面钝化层；
(7)在所述背面钝化层上的第一凹槽或未开窗凸面区的对应位置再次开窗，形成第二凹槽，暴露出所述背面减薄BSG层；再通过所述第二凹槽中的所述背面减薄BSG层进行磷扩；
(8)通过丝网印刷，在所述第二凹槽中形成负电极，使所述负电极与所述磷扩形成的掺杂区域产生欧姆接触；并制作正电极，使所述正电极穿过所述背面钝化层与所述硼扩形成的掺杂区域产生欧姆接触，得到叉指背接触太阳能电池；
其中，步骤(2)与步骤(3)不分先后顺序。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤(1)所述双面抛光包括先进行粗抛，清洗后再进行碱抛；
优选地，步骤(1)所述硅基体包括N型和/或P型硅片；
优选地，所述粗抛使用的粗抛水溶液包括NaOH和/或KOH；
优选地，所述粗抛水溶液中NaOH和/或KOH与水的体积配比为(2～10):(300～380)；
优选地，所述粗抛的温度为69～79℃，时间为100～180s；
优选地，所述碱抛使用的碱抛水溶液包括NaOH和/或KOH以及碱抛添加剂；
优选地，所述碱抛水溶液中NaOH和/或KOH、碱抛添加剂及水的体积配比为(6～10):(4～6):(335～340)；
优选地，所述碱抛的温度为65～80℃，时间为200～300s。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，步骤(2)及步骤(7)所述开窗的方法包括激光开窗和/或掩膜腐蚀；
优选地，步骤(2)所述第一凹槽的深度为5～20μm，宽度为60～900μm；
优选地，步骤(2)所述未开窗凸面区的宽度为600～1500μm；
优选地，步骤(
声明：
“叉指背接触太阳能电池的制作方法及制得的叉指背接触太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：横店集团东磁股份有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
