权利要求书： 1.一种太阳能电池的制造方法，其是使用单结晶硅基板制造单结晶硅太阳能电池的太阳能电池的制造方法，其特征在于包含：使用石英炉将前述单结晶硅基板在800℃以上1200℃以下热处理的高温热处理步骤，将前述太阳能电池的制造所使用的单结晶硅基板定为初期晶格间氧浓度为12ppma(JEIDA)以上者，该高温热处理步骤具有：
将前述单结晶硅基板装填至热处理装置的搬运步骤；及将前述单结晶硅基板加热的加热步骤；及
将前述单结晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定温度的保温步骤；及将前述单结晶硅基板冷却的冷却步骤，在前述高温热处理步骤之中，将通过前述搬运步骤及前述加热步骤而使前述单结晶硅基板的温度成为400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内，以批次处理进行前述高温热处理步骤，
将前述太阳能电池的制造后前述单结晶硅基板所含的氧的析出量定为2ppma(JEIDA)以下。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中由前述单结晶硅基板制造出前述太阳能电池的期间，在最初的前述高温热处理步骤中，将前述单结晶硅基板的温度成为
400℃以上650℃以下的时间定为5分钟以内。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中在含有惰性气体的气体环境下进行前述高温热处理步骤。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中前述惰性气体为氮或氩。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中在含有氧或水的气体环境下进行前述高温热处理步骤。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中在前述搬运步骤之中，将前述单结晶硅基板在10分钟以内配置于前述热处理装置的加热区。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中将前述单结晶硅基板定为CZ单结晶硅基板。
8.一种太阳能电池，其是通过根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池的制造方法所制造的太阳能电池，其特征在于：前述单结晶硅太阳能电池中，前述单结晶硅基板在电致发光或光致发光时没有漩涡纹。
9.一种太阳能电池，其是具备CZ单结晶硅基板的单结晶硅太阳能电池，其特征在于：前述CZ单结晶硅基板所含的氧的析出量为2ppma(JEIDA)以下，前述CZ单结晶硅基板所含的残存晶格间氧浓度为10ppma(JEIDA)以上，前述单结晶硅太阳能电
声明：
“高光电转换效率太阳能电池的制造方法及高光电转换效率太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：信越化学工业株式会社
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2025年06月06日 ~ 08日 
