权利要求书： 1.一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有前述第一导电型的基极层，及邻接于前述基极层且具有与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于前述基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其特征在于：前述基极集电电极的一部分以与前述射极层接触的方式亦配置于前述射极层上，此射极层邻接于配置有该基极集电电极的前述基极层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中配置于前述射极层上的基极集电电极的膜厚为0.1～10μm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中配置于前述射极层上的基极集电电极的宽度为0.1～10μm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中配置于前述射极层上的基极集电电极的宽度为0.1～10μm。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池，其中前述基极层于前述第一主表面中，配置于比前述射极层更凹陷的位置。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池，其中前述射极层在前述第一主表面中，配置于比前述基极层更凹陷的位置。
7.一种太阳能电池模块，其特征在于，内藏有根据权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池。
8.一种太阳能电池模块，其特征在于，内藏有根据权利要求5所述的太阳能电池。
9.一种太阳能电池模块，其特征在于，内藏有根据权利要求6所述的太阳能电池。
10.一种太阳能光发电系统，其特征在于，具有根据权利要求7所述的太阳能电池模块。
11.一种太阳能光发电系统，其特征在于，具有根据权利要求8所述的太阳能电池模块。
12.一种太阳能光发电系统，其特征在于，具有根据权利要求9所述的太阳能电池模块。
13.一种太阳能电池的制造方法，其是具有以下步骤的太阳能电池的制造方法：于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，形成具有前述第一导电型的基极层，及邻接于前述基极层且具有与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层的步骤，与于前述基极层上形成基极集电电极的步骤；
其特征在于：
于前述基极层上形成基极集电电极的步骤中，将前述基极集电电极的一部分以与前述射极层接触的方式亦形成在邻接于前述基极层的射极层上。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制造方法，其中将前述射极层上的基极集电电极的膜厚设为0.1～10μm。
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声明：
“高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：信越化学工业株式会社
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2025年06月06日 ~ 08日 
