权利要求书: 1.一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:提供一模具,其中,该模具的支架具有N行M列共N*M个间隔呈矩阵分布的固定槽;
针对每一固定槽,将一衬底固定于该固定槽,其中,所述衬底为铁材料层;
对各所述衬底进行清洗处理;
针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层;
针对每一阻挡层,在该阻挡层的上方位置的一面制作电极层,其中,所述电极层为钼材料层;
针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层;
针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层,其中,所述缓冲层为三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层;
针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位置的一面制作高阻抗层;
针对每一高阻抗层,在该高阻抗层的上方位置的一面制作低阻抗层;
分离所述模具,以得到N*M片具有保护层、衬底、阻挡层、电极层、吸收层、缓冲层、高阻抗层以及低阻抗层的太阳能电池;
所述针对每一衬底,在该衬底相对的两面分别制作保护层和阻挡层的步骤包括:针对每一衬底,在该衬底的下方位置的一面制作保护层;针对每一衬底,在该衬底的上方位置的一面制作阻挡层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面制作缓冲层的步骤包括:针对每一吸收层,在该吸收层的上方位置的一面通过物理气相沉积法制作三硫化二铟材料层、三硒化二铟材料层或硫化锌材料层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤包括:针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作铜铟镓硒材料层,其中,所述铜铟镓硒材料层作为吸收层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤还包括:针对每一铜铟镓硒材料层,通过硒化氢对该铜铟镓硒材料层进行硒化处理。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一电极层,在该电极层的上方位置的一面制作吸收层的步骤还包括:针对每一铜铟镓硒材料层,通过硫化氢对该铜铟镓硒材料层进行硫化处理。
6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池制作方法,其特征在于,所述针对每一缓冲层,在该缓冲层的上方位
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