权利要求书： 1.一种用于制造异质结太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：
(a).通过制绒清洗工艺对N型单晶硅片进行制绒及清洗；
(b).通过本征PECD工艺在N型单晶硅片的正反两面上分别形成第一本征非晶硅层以及第二本征非晶硅层；
(c).通过第一N型PECD工艺在所述第一本征非晶硅层上形成第一N型非晶微晶混合层；
(d).通过第二N型PECD工艺在所述第一N型非晶微晶混合层上形成第二N型非晶微晶混合层；
(e).通过第三N型PECD工艺在所述第二N型非晶微晶混合层上形成第三N型非晶微晶混合层；
(f).通过P型PECD工艺在所述第二本征非晶硅层上形成P型非晶硅层；
(g).通过反应等离子沉积工艺或者物理气相沉积工艺在所述第三N型非晶微晶混合层以及所述P型非晶硅层上分别形成第一透明导电膜以及第二透明导电膜；以及(h).通过丝网印刷工艺在所述第一透明导电膜以及所述第二透明导电膜上分别形成第一电极以及第二电极；
其中所述第一N型PECD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、氢气流量、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～
3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm以及50～1000W，所述第二N型PECD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，所述第三N型PECD工艺的沉积压力、沉积温度、沉积时间、氢气流量、硅烷流量、磷化氢流量、二氧化碳流量以及射频功率分别为1.5～3.5mbar、150～220℃、1～
20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，其中所述第三N型PECD工艺中磷化氢流量与硅烷流量之比为所述第二N型PECD工艺中磷化氢流量与硅烷流量之比的2～2.5倍；
所述第一N型非晶微晶混合层中微晶硅所占比率为0～30％，所述第二N型非晶微晶混合层中微晶硅所占比率为40～60％，所述第
声明：
“用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：理想万里晖半导体设备(上海)股份有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
