权利要求书： 1.一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，它包括坩锅组件、感应线圈、保温套、上辅助加热件、下辅助加热件、上保温盘、下保温盘，感应线圈安装在保温套外侧，保温套内部从下往上依次安装有下保温盘、下辅助加热件、坩锅组件、上辅助加热件以及上保温盘，所述上辅助加热件和下辅助加热件都设计为石墨加热环。
2.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，所述感应线圈是环绕状的导热铜管。
3.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，所述坩锅组件与上辅助加热件之间安装有隔板；所述坩锅组件包括坩锅主体、坩埚盖、小内衬、大内衬、上内衬、籽晶托、内管、对中片和固定块，坩锅主体设计成圆柱状体，坩锅主体上方中间开有圆形槽，坩锅主体内侧底部安装有对中片，对中片中间设计对中圆孔，固定块下端安装在对中片的对中圆孔内部，对中片中间安装有固定块，内管下端套在固定块上端，坩锅主体的上端口部内侧设计有双层环形台阶，所述大内衬设计成圆环体且圆环体下端设计有圆形盘底，圆形盘底中间开有第一圆孔，第一圆孔上端设计环形凸起，圆环体上端外侧一周设计圆形折边，大内衬通过圆形折边搭载在坩锅主体口部的双层环形台阶的下层台阶上面，内管的上端插卡在第一圆孔的内侧，所述小内衬设计成空心圆环且空心圆环上端设计成锥形缩口，小内衬下端套在环形凸起的上端外侧，所述大内衬的上端口部内侧设计第一台阶，上内衬设计为圆盘体且圆盘体中间开有通孔，通孔上端开有第二台阶，上内衬一周搭载在第一台阶上面，所述第二台阶上面搭载有圆盘状的籽晶托，所述坩埚盖盖在坩锅主体上面且坩锅盖一周位于双层环形台阶的上层台阶上面，所述坩锅盖中间也开有通孔，所述隔板上面也开有通孔。
4.根据权利要求3所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，所述内管一周设计若干细孔。
5.根据权利要求1或3所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，所述坩锅组件、上辅助加热件、下辅助加热件都采用等静压石墨材料制造。
6.根据权利要求1所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征在于，所述保温套、上保温盘、下保温盘都采用短纤维硬毡制作成型。
7.根据权利要求3所述的一种提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置，其特征
声明：
“提高碳化硅生长梯度稳定性的石墨装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江苏卓远半导体有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
