权利要求书： 1.一种钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、制备PZT粉体；所述PZT粉体由PbO、ZrO2和TiO2制成；PbO、ZrO2和TiO2的质量比为（6.66 6.88）∶（1.77 1.83）∶（1.02 1.05）；
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步骤二、将步骤一得到的PZT粉体与MgO粉体混合，得到混合均匀的PM复合粉体；所述MgO粉体与PZT粉体的质量比为（0.28 0.59）∶（9.41 9.72）；
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将PM复合粉体与粘合剂混合后，压片，冷等静压成型处理，得到PM复合靶材胚体；
步骤三、将步骤二得到的PM复合靶材胚体进行烧结处理，烧结温度为800℃ 850℃，得~到PM复合靶材；
步骤四、将步骤三得到的PM复合靶材进行脉冲激光沉积，PZT相与MgO相自发形成有序结构，沉积形成外延的垂直自组装复合介电薄膜，再经退火处理得到储能薄膜材料；
所述脉冲激光沉积的具体过程为：使用KrF激光轰击PM复合靶材，使PM复合靶材成分按化学计量比烧蚀、汽化，在真空腔体内形成高温高压的等离子羽辉，并扩散到长有SrRuO3底电极层的(001)SrTiO3基底上，沉积生长为外延的垂直自组装复合介电薄膜；在沉积过程?2 ?2中，KrF激光的能量密度为1.2J?cm 1.8J?cm ，KrF激光的重复频率为4Hz；基底温度~为495℃~510℃，氧气分压为0.15mbar；所述长有SrRuO3底电极层的SrTiO3基底，其SrRuO3底电极层是在630℃和0.15mbar的氧分压下沉积得到的；SrRuO3底电极层的厚度为30nm。
2.根据权利要求1所述的钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜的制备方法，其特征在于：其中，步骤一制备PZT粉体的具体方法为：将PbO、ZrO2和TiO2原料粉体进行混合配料，再与无水乙醇进行混合，依次进行球磨12小时、干燥、筛分处理，得到混合均匀的原料粉体；将原料粉体进行预烧处理，预烧工艺为：从室温以5℃/min升温速率升高到950℃ 1000℃，在~
950℃ 1000℃保持6h，再以5℃/min降温速率将温度降到室温，得到PZT粉体。
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3.根据权利要求1所述的钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜的
声明：
“钛锆酸铅与氧化镁垂直自组装纳米复合介电储能薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：南京航空航天大学
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2025年07月09日 ~ 11日 
