本发明涉及陶瓷材料技术领域,特别涉及压电陶瓷材料及其制备方法。所述压电陶瓷材料为具有
钙钛矿结构的化合物,分子通式为ABX3;其中,A位点元素包括Pb和掺杂元素I,所述掺杂元素I选自Cu和La中的一种或几种;B位点元素包括Zr、Ti和掺杂元素II,所述掺杂元素II选自Zn和Nb中的一种或几种;X位点元素包括O和F。所述压电陶瓷材料能在≤950℃的温度下与纯银浆料多层共烧结,成本低,而且介电性能、压电常数以及机电耦合系数较高。
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