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本发明提供了一种用于紧固件的松动检测装置，包括：第一部件，设有第一耦合电路；第二部件，设有与第一耦合电路互补的第二耦合电路；RFID芯片；当紧固件处于紧固状态时，第一耦合电路与第二耦合电路相连通，RFID芯片有效；当紧固件处于松动状态时，第一耦合电路与第二耦合电路不连通，RFID芯片失效。本发明还提出了一种该松动检测装置的检测方法。该松动检测装置采用无源设计的RFID芯片，便于安装更换、成本低，能够防水抗振，且可重复使用，并能够在线、快速、准确地对紧固件松动进行检测诊断，检测效率高。
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本发明涉及一种管道内检测零部件耐磨性能试验平台，检测方法，属于油气管道测试技术领域，包括承载平台、旋转机构、零位传感器、激光位移传感器、油气管道、被测零部件、动力机构、计算机、采样控制器和激光控制器；通过将不同的零部件暴露于激光传感器的检测区域内，将检测到的待测零部件的磨损量传输给采样控制器和计算机，实时记录零部件的磨损量和旋转次数，计算机以数据报表和曲线输出的形式显示给用户。所发明的自动化测试系统，提高了工作效率，明显提升了耐磨试验效果，同时简化了用户的工作量，减少管道内检测的失效概率，降低了用户的使用难度。
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本发明公开了一种滑动门装置的防夹检测方法，包括：步骤一、图像采样；步骤二、图像数据转换为亮度数据；步骤三、亮度数据分区并计数；步骤四、更新基准数据并判断障碍物。本发明运用于观光电梯等亮度较高的环境下，能够更可靠地检测障碍物；当照明灯条或摄像机部分失效时，能够使失效部分不影响其他部分正常运行；并且能应对水平面上照明灯条的左右窄幅振动。本发明还公开了一种滑动门装置的防夹检测装置。
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现有的半导体工艺中，由于马达设置在密封腔内，因而针对某些马达被锁定误判为性能失效的情况，通常需打开密封腔以进行检测，上述打开密封腔需中断制程，耗时且麻烦。针对上述问题，本发明提出一种马达的检测装置及检测马达性能的方法，在现有的马达驱动电路基础上，再设置一套与马达相连的检测电路，以备马达在某一位置临时被锁定而非马达自身性能失效后，不打开密封腔，采用额外设置的检测电路对马达进行驱动。
本发明提供了一种信号检测电路、DC/DC转换器、检测方法及存储介质，信号检测电路包括检流电阻、第一信号采集处理子电路、第二信号采集处理子电路和诊断校验单元。第一信号采集处理子电路用于获取检流电阻的第一电流信号；第二信号采集处理子电路用于获取所述检流电阻的第二电流信号；诊断校验单元用于根据所述第一电流信号和所述第二电流信号，诊断检流电阻、第一信号采集处理子电路和第二信号采集处理子电路的失效模式；其中，失效模式包括ASIL D所需要覆盖的信号故障类型。本发明提供的信号检测电路的结构简单，易于实施；本发明提供的信号检测电路、DC/DC转换器、检测方法及存储介质，能够以较低的成本，提高安全机制的诊断覆盖率。
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本发明提供一种具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法,其利用形成于光刻上的四个检测图案来对第一层光阻的曝光情况进行光刻置放判断,其克服了传统程中需要完成第一层与第二层微影光阻图案化后才能对第一光刻置放进行校对的缺陷,进而避免制程成本上的浪费,且根据检测图案的图形的扭曲位置可提供工程师获得更多制程失效的相关信息。
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本发明公开了一种验证检测设备检测结果是否正确的方法,涉及半导体的检测工艺。该方法包括:提供具有工作区域和虚设区域的芯片,由数条位线和字线组成,虚设区域不参与工作区域的电路工作,虚设区域的位线或字线连接有熔丝,且与工作区域的预设位线或字线电路连接;打断熔丝,工作区域的预设位线或字线失效,连接熔丝的虚设区域的位线或字线代替工作区域的预设位线或预设字线,得到失效的实际物理地址;使用检测设备检测芯片,输出检测物理地址;比较实际物理地址和检测物理地址是否一致可检测出该检测设备是否正常。相较现有技术,熔丝比较大,方便使用聚焦离子束或激光进行打断。在虚设区域加熔丝电路设计,不需要增加芯片的整体面积。
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本发明公开了一种用于生物安全检测、控制、报警的装置及方法,该装置除具有一形成空气通道的壳体、至少一过滤器、一进气口及一出气口,其还包括:至少一风速传感器、至少一压差传感器、至少一风速变送器、至少一压差变送器、一数据处理器、一显示器、一报警器、一风机,上述过滤器为高效过滤器,风速传感器为热球式风速传感器,压差传感器为硅电阻微压差传感器,风速变送器为热球式热平衡型微风风速变送器,压差变送器为硅电阻力平衡式微压差变送器,数据处理器为CPU或MPU数据处理器。该方法可用于上述装置上。本发明可准确检测过滤器(HEPA或ULPA)的失效、破损并准确报警,并在低风速、弱负压时进行自动的补偿和控制。
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本发明涉及一种幕墙结构密封性检测系统及检测方法，包括：安装于所述密闭空腔内的单片机；安装于所述密闭空腔内且与所述单片机连接的气压传感器，用于检测所述密闭空腔内的实际压力值P实；与每个所述单片机连接且位于所述密闭空腔外的判断单元，用于分析每个所述密闭空腔的实际压力值P实数据并判断每个所述密闭空腔的密闭性是否失效；与所述判断单元连接且位于所述密闭空腔外的显示单元，用于显示每个所述密闭空腔密闭性的判断结果。本发明针对每个幕墙板的连接处进行实时地检测，能够更快速准确的定位出幕墙结构上密闭性失效的位置，避免了淋水试验容易对建筑造成损坏的问题。
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本实用新型公开了一种凝血分析仪及其样本码扫描系统，样本码扫描系统包括：样本盘；支撑座和设置于所述支撑座的驱动组件，所述驱动组件包括电机、同步带轮、轴承套以及同步带，所述同步带轮与所述电机的输出端周向固定，所述同步带轮与所述轴承套通过所述同步带转动，所述轴承套与所述样本盘周向固定；所述支撑座固定连接有芯轴，所述芯轴与所述轴承套通过轴承连接；固定在所述支撑座上的罩壳，所述罩壳罩设在所述样本盘外侧，且所述罩壳设置有扫描透明窗；扫描器，所述扫描器设置于所述罩壳外侧且与所述扫描透明窗相对。该样本码扫描系统的结构设计可以有效地减少输出轴失效的情况，并且便于维修。
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本发明公开了一种基于子信号趋势分析的六自由度平台电动缸健康评估方法，收集电动缸在状态良好、初步损伤、故障发展、即将失效四种状态下的电压、电流、温度、振动的数据作为数据集；将数据集输入到调整后的SSTA算法中进行特征提取；将提取到的特征输入到SVM中进行训练获取训练好的神经网络；在开关机时电动缸运行垂直升降动作并采集电动缸数据，并将采集到的电动缸数据使用训练好的神经网络进行健康状态评估。本发明对SSTA算法进行了调整，使原本只能用于旋转机械振动信号下的算法也能够适用于飞行模拟器环境下的非振动数据。
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本发明属集成电路技术领域，涉及集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析方法，本方法中，首先使用互信息和序列二次规划，对高维SRAM电路的扰动空间进行降维，实现高维SRAM电路最佳平移矢量的快速计算；然后建立低维和高维SRAM电路性能分布的贝叶斯模型；最后，使用低维SRAM电路的先验知识，可极大地加速高维SRAM电路性能分布的拟合，大幅减小高维SRAM电路仿真次数，获得符合精度要求的SRAM失效率。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前国际上已知的最好方法，可实现6‑7倍加速比。
本发明属于集成电路技术领域，涉及一种针对大规模SRAM阵列电路后仿真的高效良率分析方法。本发明利用小规模SRAM阵列电路和大规模SRAM阵列电路的相关性，将小规模SRAM电路作为低置信度源，大规模SRAM电路作为高置信度源，对小规模和大规模SRAM电路的性能关于工艺参数构造多置信度高斯过程模型；采用自适应迭代的策略，以小规模SRAM电路的最优偏移向量作为起始点，迭代地搜索和更新大规模SRAM电路的最优偏移向量，并迭代地构造及更新多置信度高斯过程模型，提出通过求解一个多模态优化问题，得到小规模SRAM电路最优偏移向量附近的失效边界，将其加入大规模SRAM电路的初始建模中，进一步提高算法的收敛速度。该方法能大幅减少大规模SRAM阵列后仿真良率分析所需仿真次数。
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本发明提供了一种结构化的PFMEA分析系统及其方法，用于将分工序或工步的功能要求和失效模式与项目及产品的功能要求和失效后果进行有效的梳理和结合，最终自动生成高质量的PFMEA报告。
本发明公开了一种基于有向图逻辑模型和蒙特卡洛模拟的系统地震易损性分析方法。该方法首先根据所要研究的系统中各组成部件的连通逻辑关系和系统功能实现路径在Simulink平台建立系统的有向图逻辑模型，确定各组成部件的地震易损性曲线参数并写入到已建立的系统有向图逻辑模型后，以系统能否实现其正常功能作为系统性能评价指标，利用蒙特卡洛模拟法结合部件层面的地震易损性曲线可以获得系统在不同地震动强度下的失效概率样本点，进而通过非线性拟合方式得到系统的地震易损性曲线，实现对系统层面的地震易损性分析。
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本发明提供一种基于概率分析的电机电磁设计方法。本发明提出在电机电磁设计计算时考虑材料性能、加工工艺、外载荷等随机变量波动的电机电磁设计计算方法，一种基于概率分析的电机电磁设计计算方法。用此方法可以正确、科学、客观地设计出满足技术条件和概率要求的电磁方案，用该电磁方案所对应的标准差要求可以为工艺设计提供依据，为生产流程提供指导意见，大大的减小潜在的设计失效率。
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本发明公开了一种超级结沟槽底部定点分析方法，包括：在样品需要分析位置制作定点标记；在样品侧面研磨样品，直至侧面研磨部位剩余样品距离所述定点标记达到第一预设距离；以第一预设角度倾斜地正面研磨样品，直至研磨部位剩余样品宽度达到第一预设研磨宽度；使用聚焦离子束对样品表面距离沟槽底部小于第二预设距离的标记位置进行表面定点分析。本发明能对超级结沟槽底部失效点实现准确定位。
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本发明公开了一种应用于直升机动部件振动趋势分析的方法。本发明通过对各飞行状态下的振动特征参数建立统计分布，通过计算时间历程中分布之间得到的偏离值来建立退化趋势的状态指标，偏离值在[0,1]区间上，越靠近1表示部件越接近退化失效。本发明实现了对直升机动部件的性能退化趋势和未来的退化状态的准确分析和评估，从而有效、及时的开展维修工作，防止事故的发生。
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本发明公开了一种基于混合不确定性变量的可靠性分析方法及其应用，其步骤如下：变量处理，包括区间变量处理和模糊变量处理，区间变量处理为将区间变量x转换为服从标准正态分布的随机变量U，模糊变量处理包括模糊变量初始化和模糊变量截集化处理；输入起始点；计算uk+1；判断KKT条件；判断收敛；计算当前截集下的最大和最小失效概率；终止条件判断。本发明的基于混合不确定性变量的可靠性分析方法，能够优化多种不确定性类型，可以完成同时具有随机、区间、模糊不确定性变量的混合可靠性分析，为混合可靠性分析提供了一种全新的技术处理思路，极大地简化了处理流程，提高了多种类型的不确定性的可靠性分析的技术水平，极具应用前景。
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本发明涉及一种在线的微量样品采集器，其特征在于：包括具有一路输入及N路输出的第一N路选通阀和具有一路输出及N路输入的第二N路选通阀，N≥2，第一N路选通阀的每一路输出分别经由一个采样管与第二N路选通阀的一路输入相连。本发明的另一个技术方案是提供了一种采用上述的在线的微量样品采集器的采样分析方法。本发明具有以下特点：适用于多个微量样品的连续在线采集；实现了采集的多个微量样品恒温储存，使样品在等待分析过程中没有失效。与实现该功能而设置多台色谱相比，结构简单、费用低、效果明显；如果增加选通阀数量，可以成倍的增加样品采集和储存，从而实现全实验过程的样品收集。
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本发明涉及大规模储能应用领域，尤其是一种基于数据驱动的化学电池储能应用分析方法，该方法由相应的设计流程、模型库和数据库组成；这种方法是基于客户的应用要求和客户数据输入，进行数据整理和清洗，结合应用类别库，组件(包括电池、储能变流器和辅助设备)特性库和经济分析数据库的数据，通过数据分析，建立对储能系统控制策略，优化储能配比关系，达到系统性能和经济效益的一个平衡；该方法避免了对锂离子电池内部电化学反应和失效机理的分析，它可以在一定程度上克服基于模型法动态精度低、泛化能力差的问题，数据驱动方法以其灵活性和可用性已在许多领域得到了广泛的应用。
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本发明提供了一种热浸镀锌超高强钢表层附着性的分析方法，其步骤包括：提供热镀锌高强钢基板，对样品进行预氧化‑还原退火工艺处理及热浸镀处理；使用双束型聚焦离子束设备在样品表面沉积保护金属，机械手焊接在沉积金属表面撕裂涂层；捕捉裂纹尖端区域，切断包含裂纹尖端的区域；对该试样进行成分分析，进行透射电子显微镜观察。本发明方法针对热浸镀锌超高强钢表层附着性分析，能够在制备透射样品时定位镀层失效位置并进行成分分析，有效提高了热浸镀锌钢表层附着性分析的准确性。本发明在现有双束型聚焦离子束设备的基础上进行灵活的改进，不需要增加更多的实验步骤和实验成本。
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本发明公开了一种沟槽MOS器件中位错型漏电分析方法，包括步骤：采用EMMI分析方法获取缺陷位置，缺陷位置对应于发光点，控制EMMI分析条件使发光点的直径小于等于1.5微米；采用FIB方法在缺陷位置处制备TEM样品，TEM样品的中心和缺陷位置的中心重合且TEM样品的厚度大于等于缺陷位置处的发光点的直径；对TEM样品进行TEM分析。本发明能针对位错引起的漏电失效，实现更快速准确的定位与分析确认。
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本发明公开了一种缺陷图像自动分析的方法，包括如下步骤：S01：训练得出卷积神经网络模型，S02：将上述卷积神经网络模型配置到自动分析装置中，所述自动分析装置包括数据收集模块和数据库；所述数据收集模块将所收集到的图像自动分析装置将数据收集模块收集到的图像输入所述卷积神经网络模型中进行识别和分类，并将分类之后的图像及对应的缺陷类型传输至数据库中。本发明提供的一种缺陷图像自动分析的装置及方法，采用基于卷积神经网络模型的深度学习方法实现产线缺陷图像数据的自动分类功能，并将自动分类结果实时输入缺陷数据库，为失效机制的深入分析提供准确的数据保障。
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本发明公开的一种复杂载荷条件下的结构层级式有限元仿真分析方法，包括以下步骤：S1：建立舱体主结构全尺寸有限元模型作为1级母模型；S2：针对主结构失效方式进行有限元计算，计算方法涵盖结构稳定性分析和静力强度分析；S3：对主结构失稳载荷低于1.5倍设计载荷的局部失稳位置进行危险性评估，选定细化分析区域；S4：对主结构强度剩余系数低于1.3的应力危险区域进行危险性评估，选定细化分析区域；S5：以S3、S4中的细化分析区域建立有限元1级子模型；S6：建立子模型与母模型的有限元连接模型；S7：将含有过渡模型的子模型提交有限元计算；S8：重复S1～S7步骤，直至模型足够精细。
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本实用新型公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V‑I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V‑I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V‑I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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本发明属于集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析领域，具体采用一种通用帕累托和高斯联合分布作为实际采样分布函数族，通过最小化实际采样分布和理想采样分布之间的交叉熵，从而获得最优的实际采样分布参数。使用优化后的实际采样分布进行采样计算SRAM失效率，能够大幅减小采样点数，提高采样效率。本发明的关键是提出采用通用帕累托和高斯混合分布为采样分布函数族；并针对该分布的参数优化问题，提出了一个迭代策略，不断地进行采样、更新实际分布参数、计算失效率，直到失效率满足精度要求。实验结果表明，本发明提出的方法明显优于目前现有技术的方法。
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本发明涉及一种FMEA分析方法及系统。该方法包括：确定产品结构和当前的工艺路线；根据所述产品结构中不同器件的功能，对所述产品结构中器件进行划分；划分结构为虚拟件、黑匣子件或沿用件；根据产品结构和当前的工艺路线分别确定虚拟件的功能树和黑匣子件的功能树；根据虚拟件的功能树和黑匣子件的功能树确定虚拟件的失效树和黑匣子件的失效树；根据失效树确定根据当前的工艺路线完成产品的风险以及风险原因；并返回所述确定产品结构和当前的工艺路线的步骤，更新工艺路线。本发明能够快速的定位失效的位置和原因，提高产品设计的效率和质量。
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本发明公开了一种深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法，包括步骤：在定义深沟槽图形的掩膜板上定义出分析沟槽图形。同时刻蚀形成深沟槽和分析沟槽。在分析沟槽中填充介质层。在深沟槽填充满硅外延层，并形成深沟槽产品。制备分析样品；对分析样品进行研磨并找到深沟槽的底部，研磨过程中利用分析沟槽中填充的介质层能够和硅直接视觉区别的特性来对深沟槽的深度进行定位。对定位好的深沟槽的底部进行物理分析。本发明能够在分析样品制备过程中实现对深沟槽低端的准确定位，从而能解决深沟槽产品的结构分析、失效分析是的样品制备的难题，并能带来产品的质量提升和工艺改善。
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本发明提供一种数字化仪控系统动态可靠性集成分析方法，其包括产生仿真指令、系统运行区间划分、仿真机仿真、主程序计算与结果分析五个功能部分。本发明基于Markov/CCMT方法理论，以C#作为基本开发语言，完成集仿真、计算、结果分析功能于一体的针对数字化仪控系统的动态可靠性集成分析方法，可应用于软件平台，并将所搭建的系统运用到实际AP1000主给水系统中进行调试，并对AP1000数字化仪控系统主给水部分进行全面的可靠性分析，分析范围包括系统失效概率及系统的薄弱点等。
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