合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 基于贝叶斯模型的SRAM电路良率分析方法

基于贝叶斯模型的SRAM电路良率分析方法

1018   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:58
本发明属集成电路技术领域,涉及集成电路可制造性设计中静态随机存储电路良率分析方法,本方法中,首先使用互信息和序列二次规划,对高维SRAM电路的扰动空间进行降维,实现高维SRAM电路最佳平移矢量的快速计算;然后建立低维和高维SRAM电路性能分布的贝叶斯模型;最后,使用低维SRAM电路的先验知识,可极大地加速高维SRAM电路性能分布的拟合,大幅减小高维SRAM电路仿真次数,获得符合精度要求的SRAM失效率。实验结果表明,本发明提出的方法明显优于目前国际上已知的最好方法,可实现6‑7倍加速比。
声明:
“基于贝叶斯模型的SRAM电路良率分析方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记