本实用新型公开了一种PID气体检测传感器,包括电离室本体和检测电路,所述电离室本体的内部固定设有内壳体,所述内壳体的上部固定设有紫外灯,所述内壳体上部固定安装有离子收集电极,所述内壳体的底部固定设有电场偏置电极;所述检测电路通过线缆电性连接在紫外灯上,所述紫外灯上通过线缆与开关、电源组成闭合回路,所述检测电路上电性连接有用于检测光照的光敏器件、限流电阻和采样电阻;本实用新型能够减缓紫外灯老化,延长紫外灯使用寿命,知晓更换时间,提高了产品的可靠性和传感器失效或则失效前通知用户更换传感器,从而减少被测气体对环境的破坏或则生命财产损失。
本发明公开了一种快速检测芯片堆栈结构间段差高度的方法,制作一块通用测试掩膜板;根据测试图形的形状及关键尺寸的大小建立一个能表征CD和台阶高度之间关系的标定系统;将测试图形以分批或组合的方式,规则且均匀的放置于通用测试掩膜板内;在硅片上涂布光刻胶;曝光、显影形成所需的测试图形;对所形成的测试图形关键尺寸进行测量或观测外观的变化;根据测量或观测的结果对照标定系统得出功率器件工艺中存在的台阶高度。本发明不仅能直接探测实际硅片状况,避免功率器件工艺开发过程中由台阶高度造成器件物理性失效,而且相对于传统方法降低了开发成本,以及对研发人员经验,理论基础的依赖程度。
一种检测半导体器件介质层可靠性的方法和装置,其中,所述方法包括:基于斜坡电压测试和时间相关介质击穿测试的介质层击穿过程,确定介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系;利用斜坡电压测试,测试一组样品的介质层的斜坡击穿电压Vbd1,Vbd2......Vbdn;利用韦伯分布对所述斜坡击穿电压Vbd1,Vbd2......Vbdn进行拟合;基于所述拟合结果,确定与预定斜坡电压击穿累积失效率对应的斜坡击穿电压;利用所述介质层的斜坡击穿电压和时间相关介质击穿时间之间的转换关系,将所述确定的斜坡击穿电压转换为时间相关介质击穿时间。本发明可以快速的进行半导体器件介质层可靠性评估。
本发明提出一种内建自测系统的自检修补法,步骤如下:将预期数据依地址依次增大的排列顺序输入到存储器存储阵列中;优化内建自测系统;内建自测系统记录存储器存储阵列的起始地址,并对存储器存储阵列中的存储数据依输入方式进行数据读取,且将每次依地址读取的存储数据的每一位数据依次与内建自测系统中以地址所对应的字节数为单位、依输入方式预先存储的预期数据的每一位数据进行比较,依次输出每一地址的比较结果,当比较结果表示为内容不一致时,确定所述比较结果对应存储阵列的存储数据为失效地址,则将冗余阵列修复失效地址的存储数据。本发明可快速判断存储器的失效地址,并通过冗余阵列修补该存储器的当前失效地址,缩短测试时间。
一种终端设备的散热检测方法,该方法包括步骤:设置环境温度的第一上限值和CPU的表面温度的第二上限值;控制CPU在满负载条件下运行达到热平衡状态;检测当前环境温度和CPU的当前表面温度;当所述当前环境温度超过第一上限值时,发出警示;当所述当前环境温度未超过第一上限值时,比较CPU的当前表面温度与第二上限值;以及当CPU的当前表面温度超过第二上限值时,判断终端设备的散热功能失效,并发出警示。本发明还提供一种终端设备。本发明可以通过检测该终端设备的环境温度和CPU表面温度来判断散热功能是否正常,并在散热失效时自动发出警示。
本发明涉及一种冗余计算机群共享IP地址自动检测转移的方法,该方法包括以下步骤:对共享IP地址的有效性进行检测;对候选的目的网卡所在物理通道的有效性进行检测;把共享IP地址从失效的物理通道的网卡转移到目的网卡。与现有技术相比,本发明具有以下优点:在不降低网络安全性、极少增加网络负荷的情况下,对冗余计算机共享IP地址进行自动检测和转移,确保了系统的可靠性。
本实用新型涉及一种冗余计算机群共享IP地址自动检测转移装置,该装置包括共享IP地址的有效性检测模块、候选的目的网卡所在物理通道的有效性检测模块、共享IP地址从失效的物理通道的网卡转移到目的网卡模块,所述的共享IP地址的有效性检测模块、候选的目的网卡所在物理通道的有效性检测模块、共享IP地址从失效的物理通道的网卡转移到目的网卡模块依次连接。与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:在不降低网络安全性、极少增加网络负荷的情况下,对冗余计算机共享IP地址进行自动检测和转移,确保了系统的可靠性。
本发明涉及一种隔离度自动检测处理方法,该方法包括以下步骤:1)判断自动衰减值系统是否开启,若为否,自动衰减值失效,回复手动衰减值设置,若为是,保存手动衰减值,手动衰减值失效,并初始化:下行链路衰减值=0dB,上行链路衰减值=5dB;2)判断起控深度是否大于1dB,若为是,执行步骤3),若为否,则执行步骤4);3)判断起控深度是否小于等于(26-行链路衰减值),若为是,则上行衰减值、下行衰减值各减1dB,若为否,将启动数控衰减在原来的基础上增加1dB衰减,最大到下行链路衰减值=26dB、上行链路衰减值=31dB等步骤。与现有技术相比,本发明具有降低运维成本、处理问题及时、还增加隔离对警告功能等优点。
本发明提供利用深度学习图像检测来获取并判定MTF值标准的方法,包括以下内容:取多个已知MTF值的镜头,对每个镜头取得包含识别目标的视频,输入目标识别算法,即可输出每个镜头所对应的目标失效率;将目标失效率与MTF使用数据拟合的方式得到对应失效率‑MTF曲线,并考虑失效率‑MTF的负相关关系,若插值不满足负相关,则采用负相关拟合,得到MTF值‑失效率函数;对待测镜头进行图像识别,得到失效率,与MTF‑失效率函数映射对比,即可得到待测镜头MTF;并建立一个标准化的、目标特征完全固定的标准场景,作为一个标准场景库,该库包含足量标准目标,可以用作所得结论的验证,也可以直接用于识别得到目标镜头的MTF。
本发明提供了用于检测小区的定时提前组改变的方法和设备,其中该方法包括判断所述定时提前组内的至少一个小区的定时提前值是否失效;以及基于判断所述定时提前值失效,确定所述至少一个小区的定时提前组发生改变。利用本发明的方法和设备,通过判断小区的定时提前值是否失效,可以检测到小区的定时提前组发生改变,并且在检测到该定时提前组发生改变后,实现对发生定时改变后的小区的定时提前值和定时提前组的更新。
本发明公开了一种现场气体双传感器检测系统,包括实时传感器、校准及备份用传感器、封闭阀门、变送器、报警系统以及控制系统;还公开了该现场气体双传感器检测系统的控制方法。采用上述技术方案,本发明的现场气体双传感器检测系统及其控制方法,能够大幅度的提高检测系统的现场综合使用时间,保障检测系统中的传感器部件拥有更长的使用寿命,并有效的降低现场检测系统因传感器部分失效而停止工作的概率,通过使用备份传感器消除实时传感器失效而带来的风险隐患,同时该检测系统具有部分校准、调零检测传感器是否正常等功能,可以替代相当部分的人工维护工作,提高工作效率及降低成本。
一种暗场缺陷检测设备自对准工艺窗口的校正方法,包括:步骤S1:提供测试晶圆,具有不同功能膜层厚度和面积的测试区域;步骤S2:测试不同测试区域,并收集不同反射光信号强度;步骤S3:对反射光信号强度Y进行拟合,得到拟合公式Y=αxn+βyn+γ;步骤S4:根据拟合公式,结合实际工艺生产中功能膜层之厚度和面积,推算所需的自对准光强值,进而对暗场缺陷扫描设备实现参数调整。本发明通过对不同功能膜层厚度和面积的测试区域进行多观测点测试,得到拟合公式,即可推算所需的自对准光强值,不仅有效避免因功能膜层过暗或过亮导致的自对准失效,而且可实时调整暗场缺陷检测设备之参数,保证暗场缺陷检测设备之光强值满足自对准校正的有效范围。
本申请公开了一种内胆气密性检测装置,包括内胆支架、第一密封结构、气压传感器和第一阀门,第一密封结构设置在内胆支架上,第一密封结构用于与内胆的第一入口连接并密封内胆的第一入口,第一密封结构上设置有用于与内胆的第一入口连通的通孔;气压传感器与通孔连通;第一阀门的输出端与通孔连通。本申请实施例通过内胆气密性检测装置能够检测内胆的气密性,当内胆的气密性无法达到要求时,可以及时对内胆进行报废或修复,而不会将气密性不符合要求的内胆用于储氢气瓶的装配中,避免在检测到储氢气瓶的气密性失效的情况下,无法判断是否是储氢气瓶的内胆的气密性失效,从而导致整个储氢气瓶气密性失效,造成成本的大量浪费的问题。
一种基于多核处理器二取二架构的功能安全检测方法,采用两个多核处理器组成多核处理器二取二架构,两个多核处理器按照指定的内核来运行应用程序,在应用程序运行过程中的关键节点植入检查点,在每个检查点处生成时序校核字,两个多核处理器实时比较双方生成的时序校核字。本发明能够准确检测多核处理器的器件失效,提高了检测覆盖率,能够发现多核处理器中的系统性失效、随机性失效,能够将多核处理器运用到功能安全领域,达到大幅提高性能和算力的目的。
本发明公开了一种点焊强度检查机构,包括检测台面,所述检测台面上设有气缸,所述气缸的下端与压头活动连接,所述气缸的下方设有固定在检测台面上的检测基座,所述检测基座为向上开口,所述检测基座开口的尺寸小于待测金属工件上层的金属板一的尺寸,同时略大于待测金属工件下层的金属板二尺寸。本发明通过采用预设气缸的气压,并用与气缸连接的压头在焊接的下层金属上施力,来检测下层金属与上层金属的焊接点是否存在潜在失效,从而剔除焊接的不合格件,解决了点焊的焊点不可见,无法检查所带来的潜在失效风险,同时半自动化操作对操作人员要求较低,检测结果简单直观,检出率高。
本发明公开了一种检测镍铂去除装置的方法,该方法包括:A、提供一表面形成氮化硅SiN的试验样品,使用镍铂去除装置对该试验样品进行镍铂去除工艺;B、使用光学测量工具检测SiN表面的杂质数量,如果杂质数量不符合工艺要求,则执行步骤C;如果杂质数量符合工艺要求,则结束流程;C、对该镍铂去除装置进行清洗,然后执行步骤A。使用表面形成氮化硅SiN的试验样品检测镍铂去除装置的方法,能够真实反映该镍铂去除装置的洁净度,因此可以及时对不符合工艺要求的镍铂去除装置加以调整,从源头避免失效成品的产生,从而节约大量成本和制造时间。
本发明提供一种写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器。所述写追踪跟随性检测方法包括:提供写追踪单元、延时单元和虚拟存储单元;检测所述虚拟存储单元是否写失效;以及当所述虚拟存储单元未写失效时,将所述写追踪单元的输出作为写反馈信号输出;当所述虚拟存储单元写失效时,将所述写追踪单元的输出经所述延时单元延时后再作为写反馈信号输出。本发明所提供的写追踪跟随性检测方法和电路以及包括该电路的存储器能够检测写追踪的跟随性,当写追踪路径比实际写入偏快时,在写追踪路径中加入延时,从而能够保证字线有足够的开启时间,避免存储单元写失效。
本实用新型提供一种LED驱动芯片过压检测电路,其中LED驱动芯片过压检测电路包括一检测电路本体,还包括一防过压检测失效模块,所述防过压检测失效模块连接一输入控制信号的第一控制信号输入端、一输入检测电压的检测电压输入端、一输入基准电压的基准电压输入端和所述检测电路本体,其设置为在接收到所述控制信号后,判断所述检测电压是否小于所述基准电压,并在所述检测电压小于所述基准电压时使能所述检测电路本体执行过压检测。本实用新型的一种LED驱动芯片过压检测电路可有效的避免LED过压检测失效问题,具有准确性高和稳定性强的优点。
一种自动检测汽车机油污染度的方法,其特征在于:将一个电容传感器的两极置于机油介质中,并将车辆所用各种机油的临界失效电容值储存在一单片机中;而后通过控制电路将电容传感器以及单片机组成一个集检测与报警于一体的检测系统,待由于车用机油经使用污染后、引起置于机油介质中的电容器的被感应电容值达到储存在单片机内允许的机油临界失效值时,引发报警告之更换清洁机油。不用在停车状态下从汽车机油箱中取出机油油样,也不需要专业技术人员来检测,就可以实现汽车机油污染度的在线自动测试;可及时地给出机油污染程度和机油失效报警信号,提高检测精度和检测效率。既便于按质换油和保养、节省资源和保养费用,同时也能保障发动机润滑正常。由于检测系统采用单片机测控,体积小、价格低,结构简单,使用简便便于实现。
本发明提供了一种芯片内部动作时间的检测系统及方法,芯片具有状态输出管,该检测系统包括:检测设备、外部时钟、计算单元和定义单元;检测设备具有失效地址存储单元,用于对虚拟地址进行计数;其中,芯片的状态输出管与失效地址存储单元的控制端相连;外部时钟与失效地址存储单元的输入端相连;计算单元,估算要测量的动作时间,据此定义时钟信号的周期;定义单元,在失效地址存储单元中为每个时钟信号定义不同的虚拟地址;检测设备,检测时,将虚拟地址存储于失效地址存储单元中;然后计算单元还统计存储于失效地址存储单元中的虚拟地址数目;此外,计算单元根据时钟信号的周期和虚拟地址数目,从而准确地计算出芯片内部动作时间。
本发明提供一种LED驱动芯片过压检测电路及方法,其中LED驱动芯片过压检测电路包括一检测电路本体,还包括一防过压检测失效模块,所述防过压检测失效模块连接一输入控制信号的第一控制信号输入端、一输入检测电压的检测电压输入端、一输入基准电压的基准电压输入端和所述检测电路本体,其设置为在接收到所述控制信号后,判断所述检测电压是否小于所述基准电压,并在所述检测电压小于所述基准电压时使能所述检测电路本体执行过压检测。本发明的一种LED驱动芯片过压检测电路及方法可有效的避免LED过压检测失效问题,具有准确性高和稳定性强的优点。
一种表面颗粒检测仪量测平台,包括:定子结构,呈凹型设置,并在所述定子结构之凹槽内形成所述转子结构之容置空间,且在所述定子结构之凹槽的边沿臂内设置所述导电线圈、第一传感器和偏载磁体;转子结构,悬浮设置在所述定子结构之凹槽内,且在所述定子结构之磁力作用下发生转动;支撑体,设置在所述转子结构之一侧,并用于承载所述待量测之晶圆;第二传感器,间隔设置在所述定子结构之底部。本发明通过设置定子结构和磁悬浮设置在所述定子结构内的转子结构,且在所述转子结构上通过所述承载体承载所述待量测晶圆,不仅有效的避免了所述待量测晶圆的翘曲变形和背面脏污造成真空失效导致的当机,而且提高生产效率,延长设备的正常生产时间。
本实用新型涉及一种激光超声在线检测装置,包括激光超声采集装置、云台、控制主机,激光超声采集装置安装在云台上;激光超声采集装置包括绝缘子探伤传感器、激光定位器和摄像机;云台用于控制激光超声采集装置方向,控制主机用于处理和分析激光超声采集装置采集到的绝缘子、金具脱落、导线断股超声波波形,进行故障判断并通过云台来定位故障方位,激光定位器来定位故障点,摄像机用于对故障点拍照;并将故障信息和图片信息通过数据传输模块进行上传。该装置利用超声波、光学和视频图像等技术,实时对绝缘子失效、绝缘子破裂、金具脱落、导线断股等进行定位和预警,达到了保障输电线路使用和运行安全的效果。
本发明涉及一种镍侵蚀缺陷在线检测方法,用于在CMOS器件制备工艺中检测镍侵蚀缺陷,包括如下步骤:a)、电子束扫描仪以第一配置参数扫描CMOS器件一表面区域,滤除非线条状缺陷,第一配置参数包括第一电流值;b)、电子束扫描仪以第二配置参数扫描该表面区域,滤除线条状缺陷,第二配置参数包括第二电流值;c)、以透射电镜在暗场下扫描该表面区域,确定是否存在镍侵蚀缺陷;d)、若存在镍侵蚀缺陷,通过失效分析对镍侵蚀缺陷进行核实与分类;e)、切换至另一表面区域,回到步骤a)继续执行。其中,第一电流值小于第二电流值。该方法准确率高、实施简单,易于在半导体行业内推广。
本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法,所述缺陷检测方法和耐久测试方法,通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除,可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷,并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试,从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来,从而避免了后续产品在使用过程中所出现的可靠性问题。所述制造方法能够根据所述缺陷检测方法或所述耐久测试方法的结果来调整制造工艺参数,避免浅沟槽隔离结构中出现空洞缺陷,提高产品可靠性。
本发明公开了一种电力电子模块劳损状态的检测系统及方法,该系统包括:电力电子模块壳温参数检测传感单元,用于提供电力电子模块外壳底板正下方实时温度信息;温度信息处理分析单元,用于生成电力电子模块壳温随时间变化的曲线,并提取壳温变化曲线在固定时间间隔内的变化速率、时间常数和温度变化幅值等关键参数。本发明在电力电子模块壳温或内部芯片结温未发生明显过温故障时即可对其内部疲劳、损伤机理做出诊断,便于对面临失效风险的电力电子模块进行后续保护。
一种铝‑碳纤维复合材料接头力学性能全局敏感性检测方法,根据待测对象的材料参数、几何参数和装配参数不确定性,统计得到各个参数的分布情况并建立基于材料失效的混合接头模型,从而生成包含各个参数和相应力学性能响应的数据集;然后采用基于混沌多项式展开和Sobol分解的全局敏感性分析策略得到基于混沌多项式的Sobol敏感性指标,对不同接头参数对不同力学性能的相对贡献进行量化,从而确定影响随机力学性能的关键参数;本发明充分考虑材料、几何和装配不确定性的影响,将基于混沌多项式展开的Sobol敏感性指标引入到接头检测中,通过敏感性指标识别影响力学性能响应的关键参数,从而提高接头设计的效率。
本发明公开了一种检测芯片内部节点电位的方法,包含如下步骤:选取样品芯片,对样品芯片的背面进行研磨至目标层次;采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面,至绝缘隔离层露出;采用聚焦离子束机台,穿越绝缘层刻蚀出连接通路,并采用铂金属进行填充,并在连接通路的末端形成焊盘;将样品芯片转移至手动测试机台,使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针,释放电荷;对探针施加相应的测试信号,进行样品芯片的测试,检测焊盘节点信号的变化。上述方法对多层次金属互联实现了正反面都可以实施电位检测,改善芯片失效分析水平。
本发明公开了一种食用菌专用温湿度检测系统,包括食用菌生产场地,所述食用菌生产场地内设置有主控机箱,所述主控机箱内安装有控制电路板,所述控制电路板上集成有单片机,所述控制电路板与液晶显示器、操作键盘相连接,所述食用菌生产场地一侧侧边设置有红外线发射装置且与此侧边相对的另一侧边设置有红外线接收装置,所述食用菌生产场地内安装有温度传感器,此食用菌专用温湿度检测系统,直接通过红外线检测来进行能见度检测湿度,效果明显,可以避免普通的电学传感器在高湿度下失效的问题,有效的提高了可靠性,且还可以通过摄像头视觉分析出雾气的能见度,从而判定出环境的湿度,进一步的提高可靠性。
本发明提供了一种衬底位错的检测方法,包括以下步骤:A、利用电学失效分析定位的方法对可能存在位错的器件进行失效定位;B、利用聚焦离子束,从其正面进行切抛,边切边看,定位到失效的存储单元,对其源漏区衬底进行排查,发现位错缺陷,立即停止切抛;C、在正面抛光结束后,进行背面的抛光,在确认背面已被低速流离子束抛光干净后停止切抛,制得透射电镜样品;D、在透射电镜中进行观察,拍下透射电镜照片,获取位错长度、深度、所在位置等有关位错信息。本发明带来的有益效果是:通过增加透射电镜样品制备的厚度,保留了完整的位错信息;本发明方法得到精确的密度、长度、深度等位错信息;步骤少,速度快,效率非常高。
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