本发明涉及一种提高计算机系统稳定性的方法及计算机系统,提高计算机系统稳定性的方法包括:计算机系统在启动或运行时,收集所述计算机系统的设备产生的错误数据;将所述错误数据存储到非易失性存储器中;所述计算机系统重启时,根据所述错误数据对产生所述错误数据的设备进行状态恢复处理。通过在计算机系统运行中将错误数据记录到非易失性存储器中,并在重新启动过程中读取非易失性存储器中的错误数据对计算机系统中对应的设备进行状态恢复处理,解决了计算机系统在重启后设备状态初始化导致的计算机系统之前对一些异常或预测会损坏的设备的禁用、隔离等处理失效,直接导致系统稳定性的降低的问题,提高了计算机系统的稳定性。
本实用新型公开了一种低能耗的光伏风电箱变,包括地面,所述地面的上端设置有接地装置,所述地面的上端固定连接有箱体,所述箱体内固定连接有夹线装置,所述箱体内固定连接有通风装置,所述接地装置包括滑轨、滑块、滑槽、滑移架、滑杆、第一弹簧、限位环、套筒和接地杆,所述滑轨与箱体固定连接,所述滑轨内滑动连接有滑块,所述滑块设置有滑槽,所述滑槽内滑动连接有滑移架,所述滑移架内滑动套接有滑杆,所述滑杆的外侧套接有第一弹簧。该低能耗的光伏风电箱变采用接地装置能够避免接地失效,且可以进行微调来补偿安装误差;采用夹线装置可以将箱体内部冗长的连接线进行梳理,避免其杂乱,影响后期检修。
本实用新型公开了一种铜带热轧机的过渡托辊装置,包括过渡辊安装座,若干根过渡辊和过渡辊轴承盖,过渡辊轴承盖分为过渡辊轴承上盖和过渡辊轴承下盖,过渡辊轴承上盖盖合在过渡辊轴承下盖上,过渡辊轴承上盖和过渡辊轴承下盖之间设有若干根过渡辊,过渡辊轴承上盖和过渡辊轴承下盖的前后侧分别设有独立的过渡辊轴承上端盖和过渡辊轴承下端盖,过渡辊轴承上端盖和过渡辊轴承下端盖分别通过螺栓与过渡辊轴承上盖及过渡辊轴承下盖连接。本实用新型能有效方便过渡辊的检修和维护,减少了由于过渡辊传输失效而导致停机检修的影响。
本实用新型公开了一种用于热轧机炉前的接料辊装置,包括底座、接料辊安装座、接料辊和接料辊轴承盖,底座的两侧分别设有接料辊安装座,两侧的接料辊安装座之间经接料辊轴承对应安装有若干根接料辊,各接料辊轴承的外侧分别设有接料辊轴承盖,靠近热轧机炉前出口一侧的各接料辊轴承盖的外侧分别对应设有隔热挡板,隔热挡板内部设有冷却介质通道,冷却介质通道内设有冷却介质。本实用新型可有效避免热轧机炉前出口的高温直接辐射到辊轴承盖上,能很好的起到隔热效果,防止由于温度过高加速渡辊组件内润滑油的消耗,导致接料辊传输失效,避免了轴承烧损,减少了由于接料辊传输失效而导致停机检修的影响,隔热挡板内部设置冷却介质通道可进行自行降温。
本发明提供了一种离子迁移谱仪及其载气流量控制方法,所述离子迁移谱仪包括用于完成离子迁移的迁移管、用于生成试剂离子的电离源、用于向迁移管内输送样品气体的进样装置、用于干燥并净化载气的分子筛以及用于测量并控制温湿度、载气流量的流量控制单元、温度控制单元、湿度传感单元和处理器单元。本发明通过设置加湿瓶和流量阀来调节控制进入迁移管内的载气湿度,并通过在迁移管的出气口和分子筛出口端设置湿度传感器,比较二者检测到的湿度差值,判断分子筛是否失效;采用专家辅助PID控制方法控制载气流量,提高了载气流量控制的精度和平稳性;本发明采用嵌入式设计,使用方便,灵活性强,适用现场应用。
本实用新型提供了一种离子迁移谱仪,包括用于完成离子迁移的迁移管、用于生成试剂离子的电离源、用于向迁移管内输送样品气体的进样装置、用于干燥并净化载气的分子筛以及用于测量并控制温湿度、载气流量的流量控制单元、温度控制单元、湿度传感单元和处理器单元。本实用新型通过设置加湿瓶和流量阀来调节控制进入迁移管内的载气湿度,并通过在迁移管的出气口和分子筛出口端设置湿度传感器,比较二者检测到的湿度差值,判断分子筛是否失效;通过安装于电机转轴上的转速传感器来间接测量载气流量,相比采用压力传感器进行分流式检测,提高了载气流量平稳性;本实用新型采用嵌入式设计,使用方便,灵活性强,适用现场应用。
本实用新型提供了一种离子迁移谱仪,包括用于完成离子迁移的迁移管、用于生成试剂离子的电离源、用于向迁移管内输送样品气体的进样装置、用于干燥并净化载气的分子筛以及用于测量并控制温湿度、载气流量的流量控制单元、温度控制单元、湿度传感单元和处理器单元。本实用新型通过设置加湿瓶和流量阀来调节控制进入迁移管内的载气湿度,并通过在迁移管的出气口和分子筛出口端设置湿度传感器,比较二者检测到的湿度差值,判断分子筛是否失效;通过安装于电机转轴上的转速传感器来间接测量载气流量,相比采用压力传感器进行分流式检测,提高了载气流量平稳性;本实用新型采用嵌入式设计,使用方便,灵活性强,适用现场应用。
本实用新型公开一种MSM型金刚石快中子探测器的设计,该探测器包括底层和顶层Ti/Al欧姆接触电极层,金刚石单晶层,Si3N4绝缘层,SiO2钝化层,PCB板,铝线,导电银浆和SMA接头。通过SMA接头引出探测器与后级电子学的连接,收集快中子与金刚石产生的电荷。在顶层电极的表面沉积了一层SiO2钝化层,防止器件机械性损伤,有助于表面沾污时清洗,保护水汽环境中器件失效。Ti/Al金属的厚度为50/800nm。由于金刚石是目前已知的半导体材料中最耐辐照耐高温的材料,且金刚石中的12C与快中子能直接发生核反应,本专利设计可应用于快中子的探测,如中子能谱测量、计数、束流监测和位置分辨等。
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