本实用新型公开一种MSM型金刚石快中子探测器的设计,该探测器包括底层和顶层Ti/Al欧姆接触电极层,金刚石单晶层,Si3N4绝缘层,SiO2钝化层,PCB板,铝线,导电银浆和SMA接头。通过SMA接头引出探测器与后级电子学的连接,收集快中子与金刚石产生的电荷。在顶层电极的表面沉积了一层SiO2钝化层,防止器件机械性损伤,有助于表面沾污时清洗,保护水汽环境中器件失效。Ti/Al金属的厚度为50/800nm。由于金刚石是目前已知的
半导体材料中最耐辐照耐高温的材料,且金刚石中的12C与快中子能直接发生核反应,本专利设计可应用于快中子的探测,如中子能谱测量、计数、束流监测和位置分辨等。
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