本发明涉及一种栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构。该栅极单元的制备方法包括如下步骤:在衬底上设置导电层;在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光处理,再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽,形成具有图案的光刻胶层;及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料,然后去除光刻胶层,得到形成有图案层的导电层,得到栅极单元。采用上述制备方法得到的栅极单元能够制备充电时间较短的阵列基板。
本发明涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该源漏电极的制备方法包括如下步骤:在衬底上设置导电层;在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光处理,再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽,形成具有图案的光刻胶层;及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料,然后去除光刻胶层,得到形成有图案层的导电层,得到源漏电极。采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率较高。
本发明涉及一种数据线的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该数据线的制备方法包括如下步骤:在衬底上设置导电层;在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光处理,再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽,形成具有图案的光刻胶层;及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料,然后去除光刻胶层,得到形成有图案层的导电层,得到数据线。采用上述制备方法得到的数据线的电导率较高。
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