直流IGBT电源是一款高效节能的电源设备,输出电压0~1000V、电流0~80000A,可定制。采用高频同步整流技术和逆变软开关,功率因数高,效率比传统电源提升约20%,显著节省电费。模块化设计,可灵活调整模块数量以适应生产需求,具备冗余设计,确保设备高利用率和生产连续性。维修方便,通用化模块单元易于更换和维修。兼容性好,抗干扰能力强,适合生产线升级改造。DSP数字化控制,操作简便,工业触摸屏显示,支持参数实时显示等功能,MOS管电子式换向,无触点拉弧现象,一键换向,广泛应用于电镀电解、晶体生长。
超高频MOSFET电源是一种高效节能的加热设备,功率范围50kW-300kW,频率100kHz-1000kHz,功率因数>0.92。它具备高控制精度、快速加热和低能耗的特点,同时配备智能化保护系统,确保高可靠性和低故障率,广泛应用于高精度感应淬火、薄板带加热、细钢丝/焊丝加热等领域。
中频/超音频IGBT电源是一种高效、智能的工业加热电源,功率范围50kW-2000kW,频率0.2kHz-50kHz,功率因数>0.93。它具备变频自适应和变载自适应功能,能在负载变化时自动调整频率和匹配状态,确保高效率和质量一致性。该设备采用智能化保护系统和DSP数字化控制,具有高可靠性、快速启动、恒功率输出等特点,配备工业触摸屏或工控机显示界面,支持质量监控、故障自诊断及远程控制,广泛应用于调质生产线、感应淬火、有色金属熔炼、半导体行业等领域。
SP-MSM360 32工位高通量电弧熔炼系统是一款多工位(工位数量可按照要求进行定制加工)的高通量电弧熔炼系统,专门针对于合金的结构和相图研究实验。由真空手套箱、X-Y-Z轴可移动机床和电弧熔炼炉组成,一次可容炼32组样品,其熔炼温度可高达3500℃。SP-MSM360 32工位高通量电弧熔炼系统在工作过程中可以通过控制系统来移动电极到所要熔炼的坩埚内对样品进行熔炼。炼样坩埚和电极都采用水冷装置,腔室内可以通氩气对熔炼氛围进行保护,对于采用高通量法来探索新一代高温合金的实验中,此系统将是优佳选择。
SP-MSM-4CZ四电弧提拉法单晶生长炉是一款采用4电弧的提拉法单晶生长炉(采用Ar气电弧对样品熔融,提拉装置提拉),其温度可达3000℃。腔体为304不锈钢腔体(带有水冷夹层),真空度可达10-5Torr.此款单晶炉特别适合生长高熔点的单晶,如Ti单晶,YSZ,SiC和CeRh2Si等等。
1200℃单温区可倾斜旋转炉OTF-1200X-4-R是针对无机化合物煅烧,为获得较好的一致性而设计。特别对于锂电池负极材料的制备,具有极好的效果,且可提高导电性。此外,还可应用在粉体材料上涂层,如LiFePO3、LiMnNiO3等材料的研究和开发。
GSL-1100X-RTP50是一款CE认证的快速加热冷却炉,配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高纯石英管(单端封口),最高工作温度可达1100℃,一滑轨安装在右侧法兰处用于炉管的手动移动,从而实现快速的加热冷却。为取得最快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后将炉管插入到加热区内;为获得最快冷却,可在样品加热后从加热炉中移出炉管在空气中进行强冷。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10℃/s,是低成本快速热处理的理想炉子。
高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成,可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品(尺寸可达3″ )的退火,并采用 10KW的红外灯进行加热,最快升温速度可达 120℃/s,配有RS485 接口,可以通过控制软件在计算机上控制运行并显示温度曲线。
GSL-1600X-VIGA300气体雾化金属粉末制备系统是**研制开发的冶金设备,可用于制备铁基金属粉末、镍基金属粉末、铜粉末、贵金属粉末等。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,是一款实验室制备材料粉末的理想设备。
MTI系列加热平台是专为材料加工及材料研究实验室而开发,采用铝材质整体铸造,单片机作为核心控制部件,升温速度快,控温精准,温度高低可调,使用完毕后散热速度快。MTI系列加热平台主要适用于加热时不会发生性质和性状改变的材料,即不受加热影响的材料,尤为适用于对温度敏感材料(如晶体、半导体、陶瓷、金属等材料)的加热。也可用于实验室做化学分析、物理测定、热处理时进行物品的烘焙、干燥以及其它温度试验加热。设备结构简单操作方便,是实验室进行加热用的合适工具。