多温区管式高温高压炉集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料,采用硅碳棒为加热元件,均匀分布于炉管两侧,温场均匀可靠。镍基合金材料制成的金属炉管配备CF法兰密封形式及金属紫铜密封圈,提高设备的使用温度,同时能实现在一定的高压条件下实验。工件式样在管中加热,加热元件与炉管平行,均匀地分布在炉管外,有效的保证了温场的均匀性。
立式高温淬火炉如图所示,集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料,采用电阻丝为加热元件,用于催化剂焙烧,方便催化剂装填和转移。石英玻璃管横穿于炉体中间作为炉膛,炉管上端用选用不锈钢法兰密封,下端可用根据用户要求使用橡胶塞隔热,配有不锈钢双层托架,可放置样品。工件式样在管中加热,加热元件与炉管平行,均匀地分布在炉管外,有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“K”型热电偶,直接和式样接触,以提高控温的精确性。
新能源材料设备是由开启式真空管式炉根据特殊工艺要求而设计的,其滑轨式结构设计在实验过程中可满足多种工艺要求,可将样品直接推至实验所需设定高温区,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率,满足工艺要求对升降温要求较高的实验,是一款性价比很高的产品,同时具有一定的可扩展性,比较适用于二维材料,碳材料的实验要求。
该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD(化学气象沉积系统)常用于表面材料生长、沉积,是一款实验室常用设备。
碳纳米膜制备设备,由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统,红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃,并可在0-1400℃之间连续可调,垂直式分布热场,三点控温(三段长度平均分配),设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统,保温材料为加厚型,壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料,加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
CVD(G)系列高温真空气氛管式炉专门设计用于高温CVD工艺。如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,优质硅钼棒加热,优质99刚玉管炉膛,气体采用浮子流量计流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制,有效的实现温度的控制。设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。
设备型号:GXL-15 最高温度:1600℃ 使用温度:RT~1500℃ 炉膛有效容积:200×185×400mm(W×H×D) 炉膛材料:进口氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品 加热元件:优质U型硅钼棒(1800型) 控温点数:1个(B分度热偶) 控温精度:±1℃ 温度均匀性:±5℃(温度1000℃以上,有效区域为炉膛浓缩10%) 温控系统:日本进口64段程序控温仪表,PID参数自整定,超温、断偶报警等保护。 最大加热功率:约12kW 空炉保温功率:约5Kw 供电电源:三相电源,50HZ ,380V±10%;15KW 炉体表面温升: ≤35℃
产品介绍中钢天源自主设计研发的TM系列金属矿用塔磨机可广泛应用于包括金矿、银矿、铜矿、镍矿、锰矿、铁矿、锌铅矿等多种矿石及固体颗粒的超细磨,该设备整机及各零部件结构合理,占地面积少,运转平稳,噪音小,
适用范围:本产品是根据用户所提要求设计,并参照JB/T5520-91干燥箱技术条件制造,主要为航空、航天、汽车、**、石油、化工、船舶、电子、半导体通信等科研及生产单位提供恒定或可变化温度气候环境,供
国内大米领域负责联系电话:18356091135安徽中科光电色选机械有限公司坐落于中国合肥,占地10万平方米,总投资1.5亿元人民币,拥有数字化生产车间27000平方米,科研楼25000平方米,是一家
国内大米领域联系人:18356091135安徽中科光电色选机械有限公司坐落于中国合肥,占地10万平方米,总投资1.5亿元人民币,拥有数字化生产车间27000平方米,科研楼25000平方米,是一家专业从
小型大米色选机简介宏实高科云脑智能CCD小型大米色选机,对大米中的腹白粒、草籽、异色粒等杂质分选选净率达99%,有效剔除大米中的次品,选出的大米都是品质优良的。小型大米色选机产品特点精度高:有效剔除大
滤筒除尘器以滤筒作为过滤元件所组成或采用脉冲喷吹的除尘器。滤筒除尘器按安装方式分,可以分为斜插式,侧装式,吊装式,上装式。滤筒除尘器按滤筒材料分,可以分为长纤维聚酯滤筒除尘器,复合纤维滤筒除尘器,防静