本发明提供一种基于
钙钛矿结构的SrMoO
3陶瓷靶材的制备方法,在避免Mo
4+阳离子被氧化的前提下,以一种方便、低成本的方法合成烧结活性较高、尺寸均匀较小的SrMoO
3前驱体颗粒;然后通过单项模压加冷等静压成型;最后,选择一种低能耗、设备成本小的SrMoO
3陶瓷烧结方法。制备得到高密度、低电阻率、纯钙钛矿相的高质量SrMoO
3陶瓷,可满足诸多SrMoO
3薄膜镀膜应用的需求。
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“SrMoO3陶瓷靶材的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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