一种光学存储材料,包括结构为ABO
3结构的
钙钛矿无铅铁电陶瓷材料,其特征在于:该无铅铁电陶瓷材料的化学式为Bi
0.495‑xNa
0.5TiO
3:0.005Ho‑xYb,其中0.005≤x≤0.05,通过在A位添加0.005摩尔含量的
稀土元素Ho
3+以及x摩尔含量的稀土元素Yb
3+,进而实现材料的光存储。本发明还公开了上述光学存储材料的制备方法。与现有技术相比,本发明能实现光学存储,且存储信号稳定。
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