本发明公开了高压电性能多元系少铅压电陶瓷及其制备方法,其特征在于由通式(1-x)[(K0.5Na0.5)(1-y)Liy]NbO3-xPb(Zr(1-z)Tiz)O3表示的材料构成,其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各组元中所占的原子数,即原子百分比,0<x<1,0≤y<1,0<z≤1;所述压电陶瓷的晶体构型为
钙钛矿结构。本发明提供的钙钛矿型结构压电陶瓷,其各项性能均优于无铅压电陶瓷,且又能和传统的PZT基压电陶瓷的性能媲美,完全可以满足传感器、谐振器、滤波器等电子元器件的要求。因此,可以取代铅基压电陶瓷,逐步改善环境。
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