富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法,它涉及钽铌酸钾晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的低铌钽铌酸钾晶体居里温度低,而用现有晶体生长方法无法得到富铌钽铌酸钾单晶的技术问题。本发明的富铌掺锂钽铌酸钾单晶的表示式为K0.95Li0.05Ta1-xNbxO3,其中x=0.50~0.90。方法:将碳酸钾、
碳酸锂、氧化钽和氧化铌粉末并混合均匀和球磨后,压片,然后预烧得到多晶片,再将多晶片捣碎、湿磨得到生长单晶的原料,在晶体提拉生长炉内经籽晶接种、提拉、等径生长后,得到富铌掺锂钽铌酸钾单晶。该单晶的相变温度为310~500K,可用在无铅压电铁电器件中。
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