1.本发明涉及废料中贵金属提取精炼技术领域，具体涉及一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法。
背景技术：
2.贵金属具有良好的化学稳定性，高电导率和热导率，特有的电学、磁学、光学等性能，广泛用于微电子技术，如半导体器件的欧姆接触、线路、键合、密封等，成为提高半导体器件性能必不可少的金属。现代电子行业飞速发展，对材料的要求越来越高，而黄金具有其他金属无法替代的高稳定性。同时，电子产品日益微型化，单位用金量很小，对产品成本不构成威胁。因此越来越多的电子元件可以使用金作原材料。工业用金量占总量约10％，存在利用率低、返料率高、废料种类复杂等问题。如金在电子产品的利用率仅占2％，约98％含金废料待回收，含金废料主要为不良led
芯片、贵金属靶材废料、废蓝膜片、废金丝金线、废圆晶片或边角料及含金内衬板等。其中废蓝膜片中贵金属量约占比总废料贵金属的一半。目前含贵金属废蓝膜片预处理方法有焙烧法、湿法剥离(无机溶剂、有机溶剂)。焙烧法优点是处理流程短，焙烧后直接获得合金料，缺点是投资成本高，需购置焚烧炉、烟气处理装置(焙烧产出大量有害气体烟气需进行处理)，环保成本高。采用有机溶剂湿法剥离，优点是易规模化、自动化生产，缺点是该法流程长、对生产装备要求高、药剂耗量大、药剂易挥发对人体危害大、废液难处置等问题。采用无机溶剂湿法剥离，该法也存在处理流程长，处理过程机械化程度低、效率较低等问题。
3.中国专利申请cn102277497a提供了一种从废旧电路板中回收金、钯、铂、银的方法，该技术方案的思路是通过低温焙烧除去塑料杂质，用硝酸溶解分离银、钯，溶解完银、钯的渣用盐酸和高氯酸溶解铂、金，采用盐酸
?
高氯酸溶液体系溶解金铂合金，耗时长，需5
?
10h，高浓度金、铂混合溶液，为了得到高纯铂粉和金粉需多次分离提纯。
技术实现要素：
4.针对现有技术的不足，本发明旨在提供一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，
5.为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
6.从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，具体过程为：
7.s1、预处理：
8.采用浸出液对半导体用废蓝膜片进行浸出，实现蓝膜基体和合金料的分离及杂质铝的脱除；
9.s2、将步骤s1中分离获得的合金料置于反应釜中，加入硝酸和盐酸的混合溶液选择性浸出金；浸出后过滤，得到分金液和分金渣；
10.s3、金分离与高纯化：
11.s3.1、将步骤s2所得分金液进行水解除杂，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还
原，待溶液电位降低至450
?
550mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；
12.s3.2、在步骤s3.1所得的沉金液中加入水合肼进行深度还原，反应结束后过滤后得到粗金粉，粗金粉返回步骤s2，滤液则送废水处理；
13.s4、铂分离与高纯化：将步骤s2所得的分金渣进行焙烧转型，使得ti转化为tio2，然后选择性浸出pt。
14.进一步地，步骤s1中，浸出液中碱的质量浓度为1％
?
25％，氧化剂的体积分数为0
?
15％；浸出条件为温度25℃，时间15min
?
3h。
15.进一步地，步骤s2中，混合溶液中，盐酸与硝酸的体积比3
?
5∶1，混合溶液和合金料的液固比按体积质量比为1.5
?
3∶1，浸出条件为温度60
?
85℃，时间1
?
2h。
16.进一步地，步骤s4的具体过程为：
17.s4.1、将分金渣置于马弗炉中进行焙烧；
18.s4.2、焙烧后所得渣料采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣返回进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣；将一次滤液和二次滤液合并得到合并滤液，采用稀氢氧化钠溶液调碱，直到ph＝4
?
5，加入过量氯化铵，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液洗涤后，用水合肼还原获得铂粉。
19.更进一步地，步骤s4.2中，盐酸
?
氯酸钠溶液中，盐酸的浓度为35g/l
?
60g/l，所含氯化钠的质量与合金料中的金的质量比为3
?
6∶1。
20.更进一步地，步骤s4.2中，浸出温度80℃
?
95℃，时间2
?
3小时。
21.更进一步地，步骤s4.2中，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，加入过量氯化铵后在室温下反应1
?
2h。
22.更进一步地，步骤s4.1中，焙烧温度700℃
?
950℃，焙烧时间1
?
3小时。
23.进一步地，步骤s3.1中，还原的反应条件为控制ph＝4
?
5，温度55
?
65℃。
24.进一步地，步骤s3.2中，深度还原的反应条件为控制ph＝4
?
5，时间1
?
2h，温度50
?
80℃。
25.本发明的有益效果在于：
26.本发明采用碱液
?
氧化剂复合溶液强化分离塑料基体和合金料，分离速度快及兼顾脱除杂质铝，避免大量铝进入金、铂浸出液中，减小杂质对后续金、铂高纯化的影响。另外，本发明采用盐酸
?
硝酸混合浸出剂实现对金选择性浸出，通过焙烧法使得金属钛转化为难溶的二氧化钛，破坏合金相，使得pt变得易消解，提前除杂，大幅降低铂浸出液中杂质含量，获得高回收率、高纯度铂精炼工艺。本发明解决了现有废蓝膜片中贵金属回收技术存在的环保成本高、药剂耗量大、设备投资成本高、工艺流程长、回收率低的缺点。
附图说明
27.图1为本发明实施例1
?
4的方法流程示意图。
具体实施方式
28.以下将结合附图对本发明作进一步的描述，需要说明的是，本实施例以本技术方案为前提，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围并不限于本实施例。
29.实施例1
30.本实施例提供的一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，所述半导体行业用废蓝膜片，基体为聚氯乙烯，中间有一层亚克力胶水，胶面上有一层1微米左右的合金镀层，合金层组成按质量百分比为au：78％、pt：10％、ti：8％、al：4％。如图1所示，包括如下步骤：
31.(1)预处理
32.通过浸出液强化浸出实现蓝膜基体和合金料高效分离及杂质铝脱除，混合溶液中碱的质量浓度5％，双氧水体积分数为0，浸出剂与废料质量比2∶1，温度25℃，时间3h，分离蓝膜基体和合金料，浸出液中金、铂贵金属含量＜3mg/l，蓝膜基体上金、铂贵金属含量＜0.05g/t，铝杂质脱除率＞90％，浸出液可循环利用。
33.(2)将分离获得的合金料置于反应釜中加入硝酸
?
盐酸混合溶液选择性浸出金，硝酸
?
盐酸混合溶液中盐酸与硝酸体积比3∶1，液固比按体积质量比为1.5∶1，温度60℃，时间1h，浸出后过滤，得到分金液和分金渣，分金渣中pt≥59％，ti≥39％，au≤1.2％，al＜0.01％；
34.(3)金分离与高纯化
35.a将步骤(2)所得分金液进行水解除杂，控制ph＝4，温度55℃，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待分溶液电位降低至450mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；金粉纯度99.99％，直收率＞88％；
36.b、在步骤a的沉金液中加入水合肼进行深度还原，控制ph＝4，时间1h，温度50℃，回收溶液中少量铂和金，过滤后得到粗金粉，返回步骤(2)；二次还原后液送废水处理。a和b两步骤金直收率合计达98.9％。
37.(4)铂分离与高纯化
38.步骤(2)所得分金渣主要是pt和ti合金，通过焙烧转型，使得ti转化为tio2，选择性浸出pt，避免ti对pt纯化的干扰。工艺条件：将分金渣置于马弗炉中进行焙烧，焙烧温度700℃，焙烧时间3小时。焙烧后渣采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，盐酸35g/l，氯酸钠与合金渣中的金之比为3∶1，温度80℃，时间3小时。反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣。将两次滤液合并，采用稀氢氧化钠溶液调碱，ph到4，加入过量氯化铵，氯化铵与合并滤液中铂的摩尔比是3：1，室温下反应1h，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液多次洗涤后，用水合肼还原获得铂粉，铂粉纯度＞99％，直收率大于85％。
39.实施例2
40.本实施例提供的一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，所述半导体行业用废蓝膜片，基体为聚氯乙烯，中间有一层亚克力胶水，胶面上有一层1微米左右的合金镀层，合金层组成为au：78％、pt：10％、ti：8％、al：4％。如图1所示，包括如下步骤：
41.(1)预处理
42.通过浸出液强化浸出实现蓝膜基体和合金料高效分离及杂质铝脱除，浸出条件为：碱液质量浓度10％，双氧水体积分数为10％，浸出液与废料质量比2∶1，温度25℃，时间20min，分离蓝膜基体和合金料，浸取剂中金、铂贵金属含量＜4mg/l，蓝膜基体上金、铂贵金
属含量＜0.05g/t，铝杂质脱除率＞98％，碱液可循环利用。
43.(2)将分离获得的合金料置于反应釜中加入硝酸
?
盐酸混合溶液选择性浸出金，硝酸
?
盐酸混合溶液中盐酸与硝酸体积比4∶1，液固比按体积质量比为2∶1，温度70℃，时间1.5h，浸出后过滤，得到分金液和分金渣，分金渣中pt≥60％，ti≥39％，au＜0.05％，al＜0.01％；
44.(3)金分离与高纯化
45.a将步骤(2)所得分金液进行水解除杂，控制ph＝4.5，温度60℃，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待分溶液电位降低至500mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；金粉纯度99.99％，直收率＞88％；
46.b、在步骤a的沉金液中加入水合肼进行深度还原，控制ph＝4.5，时间1.5h，温度60℃，回收溶液中少量铂和金，过滤后得到粗金粉，返回a步骤；二次还原后液送废水处理。a和b两步骤金直收率合计达99.9％。
47.(4)铂分离与高纯化
48.步骤(2)中所得分金渣主要是pt和ti合金，通过焙烧转型，使得ti转化为tio2，选择性浸出pt，避免ti对pt纯化的干扰。工艺条件：将分金渣置于马弗炉中进行焙烧，焙烧温度850℃，焙烧时间2小时。焙烧后渣采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，盐酸45g/l，氯酸钠与合金渣中的金之比为4.5∶1，温度90℃，时间2.5小时。反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣。将两次滤液合并，采用稀氢氧化钠溶液调碱，ph到4.5，加入过量氯化铵，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，室温下反应1.5h，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液多次洗涤后，用水合肼还原获得铂粉，铂粉纯度＞99％，直收率大于95％。
49.实施例3
50.本实施例提供的一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法。所述半导体行业用废蓝膜片，基体为聚氯乙烯，中间有一层亚克力胶水，胶面上有一层1微米左右的合金镀层，合金层组成为au：78％、pt：10％、ti：8％、al：4％。如图1所示，包括如下步骤：
51.(1)预处理
52.通过浸出液强化浸出实现蓝膜基体和合金料高效分离及杂质铝脱除，浸出液中质量浓度25％，双氧水体积分数为15％，浸出剂与废料质量比2∶1，温度25℃，时间15min，分离蓝膜基体和合金料，浸取剂中金、铂贵金属含量＜5mg/l，蓝膜基体上金、铂贵金属含量＜0.05g/t，铝杂质脱除率＞98％，碱液可循环利用。
53.(2)将分离获得的合金料置于反应釜中加入硝酸
?
盐酸混合溶液选择性浸出金，硝酸
?
盐酸混合溶液中盐酸与硝酸体积比5∶1，液固比按体积质量比为2∶1，温度85℃，时间2h，浸出后过滤，得到分金液和分金渣，分金渣中pt≥60％，ti≥39％，au＜0.05％，al＜0.01％；
54.(3)金分离与高纯化
55.a将步骤(2)所得分金液进行水解除杂，控制ph＝4.5，温度60℃，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待分溶液电位降低至500mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；金粉纯度99.99％，直收率＞88％；
56.b、在步骤a的沉金液中加入水合肼进行深度还原，控制ph＝5，时间2h，温度80℃，回收溶液中少量铂和金，过滤后得到粗金粉，返回步骤(2)；二次还原后液送废水处理。a和b两步骤金直收率合计达99.9％。
57.(4)铂分离与高纯化
58.步骤(2)中所得分金渣主要是pt和ti合金，通过焙烧转型，使得ti转化为tio2，选择性浸出pt，避免ti对pt纯化的干扰。工艺条件：将合金料置于马弗炉中进行焙烧，焙烧温度950℃，焙烧时间1小时。焙烧后渣采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，盐酸60g/l，氯酸钠与合金渣中金之比为6∶1，温度95℃，时间2小时。反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣。将两次滤液合并，采用稀氢氧化钠溶液调碱，ph到4.5，加入过量氯化铵，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，室温下反应2h，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液多次洗涤后，用水合肼还原获得铂粉，铂粉纯度＞99％，直收率大于95％。
59.实施例4
60.本实施例提供的一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法。所述半导体行业用废蓝膜片，基体为聚氯乙烯，中间有一层亚克力胶水，胶面上有一层1微米左右的合金镀层，合金层组成为au：78％、pt：10％、ti：8％、al：4％。如图1所示，包括如下步骤：
61.(1)预处理
62.通过浸出液强化浸出实现蓝膜基体和合金料高效分离及杂质铝脱除，浸出液中碱的质量浓度1％，双氧水体积分数为15％，浸出剂与废料质量比2∶1，温度25℃，时间1h，分离蓝膜基体和合金料，浸取剂中金、铂贵金属含量＜5mg/l，蓝膜基体上金、铂贵金属含量＜0.05g/t，铝杂质脱除率＞85％，碱液可循环利用。
63.(2)将分离获得的合金料置于反应釜中加入硝酸
?
盐酸混合溶液选择性浸出金，硝酸
?
盐酸混合溶液中盐酸与硝酸体积比4∶1，液固比按体积质量比为3∶1，温度85℃，时间1h，浸出后过滤，得到分金液和分金渣，分金渣中pt≥60％，ti≥39％，au＜0.16％，al＜0.01％；
64.(3)金分离与高纯化
65.a将步骤(2)所得分金液进行水解除杂，控制ph＝5，温度65℃，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待溶液电位降低至550mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；金粉纯度99.99％，直收率＞88％；
66.b在步骤a的沉金液中加入水合肼进行深度还原，控制ph＝4.5，时间1.5h，温度60℃，回收溶液中少量铂和金，过滤后得到粗金粉，返回步骤(2)；二次还原后液送废水处理。a和b两步骤金直收率合计达99％。
67.(4)铂分离与高纯化
68.步骤(2)中分金渣主要是pt和ti合金，通过焙烧转型，使得ti转化为tio2，选择性浸出pt，避免ti对pt纯化的干扰。工艺条件：将分金渣置于马弗炉中进行焙烧，焙烧温度850℃，焙烧时间1小时。焙烧后渣采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，盐酸60g/l，氯酸钠与合金渣中的金之比为4∶1，温度80℃，时间2小时。反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣。将两次滤液合并，采用稀氢氧化钠溶液调碱，ph到5，加
入过量氯化铵，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，室温下反应2h，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液多次洗涤后，用水合肼还原获得铂粉，铂粉纯度＞99％，直收率大于95％。
69.对于本领域的技术人员来说，可以根据以上的技术方案和构思，给出各种相应的改变和变形，而所有的这些改变和变形，都应该包括在本发明权利要求的保护范围之内。技术特征：
1.从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，其特征在于，具体过程为：s1、预处理：采用浸出液对半导体用废蓝膜片进行浸出，实现蓝膜基体和合金料的分离及杂质铝的脱除；s2、将步骤s1中分离获得的合金料置于反应釜中，加入硝酸和盐酸的混合溶液选择性浸出金；浸出后过滤，得到分金液和分金渣；s3、金分离与高纯化：s3.1、将步骤s2所得分金液进行水解除杂，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待溶液电位降低至450
?
550mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；s3.2、在步骤s3.1所得的沉金液中加入水合肼进行深度还原，反应结束后过滤后得到粗金粉，粗金粉返回步骤s2，滤液则送废水处理；s4、铂分离与高纯化：将步骤s2所得的分金渣进行焙烧转型，使得ti转化为tio2，然后选择性浸出pt。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1中，浸出液中碱的质量浓度为1％
?
25％，氧化剂的体积分数为0
?
15％；浸出条件为温度25℃，时间15min
?
3h。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2中，混合溶液中，盐酸与硝酸的体积比3
?
5∶1，混合溶液和合金料的液固比按体积质量比为1.5
?
3∶1，浸出条件为温度60
?
85℃，时间1
?
2h。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s4的具体过程为：s4.1、将分金渣置于马弗炉中进行焙烧；s4.2、焙烧后所得渣料采用盐酸
?
氯酸钠溶液浸出，反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣返回进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣；将一次滤液和二次滤液合并得到合并滤液，采用稀氢氧化钠溶液调碱，直到ph＝4
?
5，加入过量氯化铵，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液洗涤后，用水合肼还原获得铂粉。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤s4.2中，盐酸
?
氯酸钠溶液中，盐酸的浓度为35g/l
?
60g/l，所含氯化钠的质量与合金料中的金的质量比为3
?
6∶1。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤s4.2中，浸出温度80℃
?
95℃，时间2
?
3小时。7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤s4.2中，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，加入过量氯化铵后在室温下反应1
?
2h。8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤s4.1中，焙烧温度700℃
?
950℃，焙烧时间1
?
3小时。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3.1中，还原的反应条件为控制ph＝4
?
5，温度55
?
65℃。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3.2中，深度还原的反应条件为控制ph＝4
?
5，时间1
?
2h，温度50
?
80℃。
技术总结
本发明公开了一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，采用碱液
技术研发人员：衷水平 范大游 苏秀珠 王俊娥 林文贤 刘兴财 唐定 陈杭 朱莞烨
受保护的技术使用者：紫金矿业集团黄金珠宝有限公司
技术研发日：2021.10.22
技术公布日：2021/12/27
声明：
“从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色技术网
来源：紫金矿业集团黄金珠宝有限公司
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2025年03月21日 ~ 23日 
