本发明提供了一种二维易调控Ba
0.65K
0.35BiO
3薄膜的制备方法,包括:A)将钡源、钾源和铋源按比例混合球磨,预烧结、挤压成形、坯体烧结得到Ba
0.65K
0.35BiO
3靶材;B)Ba
0.65K
0.35BiO
3靶材通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长Ba
0.65K
0.35BiO
3薄膜。本发明所述Ba
0.65K
0.35BiO
3靶材呈单一结构相,表面平整,均匀性好,相对致密度为90.94%,大于90%,与脉冲激光沉积仪贴合率达到99%。然后通过脉冲激光沉积在单晶衬底上生长出二维易调控Ba
0.65K
0.35BiO
3薄膜。所述Ba
0.65K
0.35BiO
3薄膜呈立方
钙钛矿结构,表面平整,稳定性好,结晶性很好,生长周期短,在高温超导领域具有很大的应用潜力。本发明制备方法简单,参数可控,重复性高。
声明:
“二维易调控BaKBiO薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)