1.本发明涉及一种碳化硅制备技术领域，尤其是微波加热制备碳化硅的方法。
背景技术：
2.β-sic是一种重要的无机非金属材料，具有优良的热稳定性、高热导率、高机械强度和硬度、高耐磨性和耐腐蚀性能，被广泛应用于磨料磨具、耐火材料、冶金、高温结构陶瓷等诸多传统工业领域。由于其高电子迁移率、宽能带间隙和高频吸收性，它在电子、光催化、医学、航空航天等新兴领域具有巨大的工程和工业应用潜力。
3.目前，工业制备碳化硅的大多采用acheson工艺通过碳热还原方法生产，该方法反应温度为2200-2400 ℃，反应时间长，得到的碳化硅以α-sic相为主，晶粒粗大，需要经多次机械粉碎和筛分，因此能耗高、污染严重、产品附加值较低。近年来，凝胶-凝胶法、化学气相合成法（cvd）、自蔓延燃烧合成法、等离子体法、机械合金化法等方法也用于碳化硅的合成。但上述制备方法大多存在产量低、合成步骤复杂、效率低、成本高等不足，不适合大批量工业化生产。
4.微波合成法因其合成温度低、热效率高、能耗低等特点受到了广泛关注。微波加热是利用微波电磁场与材料介质的耦合作用，通过材料本身在微波电磁场中的介电损耗吸收微波电磁能量，并将其转化为热量。这种加热机制不依赖热传导，具有快速、均匀、选择性加热及明显缩短加热时间等优点。近年来，许多研究者也采用微波加热的方式成功的合成了碳化硅。moshtaghioun等人以无定型sio2微粉和微晶石墨粉分别作为硅源和碳源，在1200 ℃微波加热保温5 min合成了10-40 nm的碳化硅纳米颗粒。li等人报道了以稻壳为前驱体，在氩气气氛下微波合成纳米结构β-sic的研究，1300 ℃加热60 min或1500 ℃加热15 min，稻壳中二氧化硅被完全碳热还原生成β-sic。wei等人研究了不同混合方法下的α-sic、c和sio2粒子之间的不同分布导致了不同的微波加热行为和生长机制。qi等人利用微波加热制备出一维β-sic碳化硅纳米线，最佳合成温度1500 ℃，保温时间40 min。上述微波加热方法中均以sio2和c作为硅源和碳源，反应过程以碳热还原反应为主，因此β-sic的制备温度较高。
5.虽然微波加热法反应温度相对较低，但是现有技术中微波烧结的温度也要达到900-1600℃。例如中国发明专利公布号cn 111762785 a公开了一种双频微波制备颗粒状碳化硅的方法，用
声明：
“制备碳化硅的方法及碳化硅与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：青岛正望新材料股份有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
