本发明涉及单晶硅片技术领域，具体地说，涉及一种单晶硅片精密磨削用砂轮及其制备方法。
背景技术：
如今ic大都采用单晶硅作为衬底材料，主要应用于集成电路、晶体管、外延片的衬底等。随着ic生产与制造技术的快速发展，硅片大直径化和超薄化的发展已经成了未来主要的发展方向，因此对硅片加工效率和表面质量提出了更高的要求。300mm硅片的制备工艺流程分别是拉晶，外圆加工，切片。倒角，表面磨削、双面抛光、表面处理、单面抛光、激光刻码、清洗等组成。表面磨削作为硅片制备工艺的关键的一步，如果加工质量能够得到提升，可以为后续的抛光节约了时间，降低了加工成本、提高了生产效率。
在大直径、超薄硅片表面磨削过程中，容易在硅片磨削表面产生磨削应力从而引起硅片的翘曲、变形，同时砂轮的堵塞也会造成硅片表面的热损伤，传统方法通过引起造孔剂来起到造孔作用，但是造孔剂的加入容易引起磨料和结合剂块的成片脱落进而影响硅片表面质量，降低耐用度。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种单晶硅片精密磨削用砂轮及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，一方面，本发明提供一种单晶硅片精密磨削用砂轮，包括以下原料组成：烧结体50-80％、陶瓷结合剂粉体b14-16％、有机粘结材料10-20％、填料(a)3-8％和润湿剂8-15％。
作为本技术方案的进一步改进，所述烧结体包括以下原材料组成：磨料40-65％、陶瓷结合剂粉体b25-35％、填料(b)0-15％。
作为本技术方案的进一步改进，所述磨料选自金刚石、含硼金刚石、泡沫化金刚石和立方氮化硼中的至少一种，所述有机粘结材料选自酚醛树脂粉、环氧树脂粉、聚酰亚胺树脂粉中的至少一种，其中树脂粉须全部通过325目筛网，所述填料选自碳化硅、立方碳化硅、白刚玉、陶瓷刚玉、氧化铈、氧化镧、氧化钇、碳纤维、钛酸钾晶须中的至少一种，所述润滑剂选自糊精液，石蜡、聚乙烯醇、水玻璃中的至少一种。
作为本技术方案的进一步改进，所述陶瓷结合剂粉体a和所述陶瓷结合剂粉体b的粒度均为2-30μm。
另一方面，本发明提供了一种单晶硅片精密磨削用砂轮的制备方法，包括上述中任意一项所述的单晶硅片精密磨削用砂轮，其操作步骤如下：
s1、烧结体混料工序：将陶瓷结合剂粉体a、磨料、有机粘结材料、填料，通过混料机混合均匀得到复合粉体；
s2、烧结体固化工序：通过热压成型
声明：
“单晶硅片精密磨削用砂轮及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：郑州伯利森新材料科技有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
