1.本发明涉及硅片制作技术领域，更具体地说，本发明涉及一种单晶硅片分选机及其使用方法。
背景技术：
2.单晶硅是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，其不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。而它常用于制造半导体器件、太阳能电池等，单晶硅是用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的，而单晶硅片在各个领域都有着非常大的发展价值。单晶硅片从上游原材料到中游制造到应用主要分为直拉、区熔、破方规、线锯等步骤。首先将多晶硅原料在加入氩气等特气环境的条件下，通过直拉或者区熔的方法获得单晶硅晶棒，然后通过单晶硅拉晶炉等设备再经过破方规形成方锭。再通过线切、研磨、刻蚀、抛光等流程最后得到光伏级单晶硅片和半导体级单晶硅片。对于单晶硅片，又可进一步精密加工成太阳能单晶硅电池片、功能性电子元器件、机械器件、集成电路等多种下游材料，最后被广泛应用于风力发电、新能源汽车、医疗器械、航空航天、计算机、智能制造及光伏行业等。
3.此外，由于单晶硅片的尺寸大小直接决定了半导体应用中芯片的成本，硅片尺寸越大，将来在制成的每块晶圆上就能切割出更多的芯片，单位芯片的成本也就更低，因此大尺寸单晶硅的发展的趋势。由于大尺寸硅片具有更大的可以刻蚀面积，更加符合集成电路芯片制造需求以及太阳能电池的蓄电能力的需求，现有技术中逐渐对大尺寸硅片的制备产生了技术聚集。
4.现有技术中，大尺寸硅片的制备或切割技术，长采用砂浆线切割或金刚线切割，如中国专利cn113119328a公开了一种大尺寸硅片切割方法，其先将硅棒粘接在固定基座上；再在所述硅棒表面粘接至少一组引导条；再用金刚石线锯将带有所述引导条的所述硅棒切割成硅片；其中，所述引导条位于所述硅棒远离所述固定基座一侧的底面设置，所述引导条与所述固定基座对位设置且与所述金刚石线锯垂直设置；所述引导条位于所述硅棒靠近所述金刚石线锯一侧底面或侧面设置。该现有技术提供的切割方法，粘棒时在硅棒底面或侧面粘接磁引导条，引导条被切割分离后，切割后每个独立的单体引导条的磁极发生变化，成为两两互斥的个体，硅片在这种互斥力的作用下，相邻硅片之间自然张开，进而有利于冷却液进入，使硅粉排除，减少硅片翘曲和划痕；提高硅片的锯切速度。并且现有技术中提供了如何进行大尺寸硅片切割后的分选设备的技术方案，如中国实用新型cn215680616u提供了一种可检测166mm硅片的henne
声明：
“单晶硅片分选机及其使用方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
826
编辑：中冶有色网
来源：无锡京运通科技有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月16日 ~ 18日 
