本发明公开了一种样品的断面研磨方法,包括步骤:步骤一、提供由第一半导体衬底形成的晶圆,将晶圆的第一半导体衬底的背面贴在蓝膜上;步骤二、进行取样,取样为在蓝膜上沿切割道进行切割从截取出一个样品块,样品块中包括了多个供失效分析的样品;步骤三、通过胶水将样品块的第一半导体衬底的正面粘贴在盖玻片上,之后进行第一次水平校准和第一次固定,在第一次固定过程中将蓝膜撕去;步骤四、通过胶水将样品块的第一半导体衬底的背面粘贴在第二半导体衬底的正面上,之后进行第二次水平校准和第二次固定;步骤五、以固定有盖玻片和第二半导体衬底的样品块作为一个整体进行断面研磨。本发明能简化样品断面研磨的难度,实现对微型样品断面研磨。
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